Транзистор BU406

Кремниевый n-p-n транзистор для выходных каскадов строчной развертки

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения
Корпус TO-220AB
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU406
Цоколевка транзистора BU406
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 200 В
Vcbo Напряжение коллектор-база 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 6 В
Ic Ток коллектора постоянный 7 А
Icm Ток коллектора импульсный t = 10 мс 15 А
Ib Ток базы 4 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 60 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 6 В, Ic = 0 А 1 мА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 1.2 В
fT Граничная частота эффективного усиления 10 мГц
Co Выходная емкость Vcb = 10 В, Ie = 0 А 80 пФ
Tf Время спада импульса Индуктивная нагрузка Ic = 5 А, Ib = 0.5 А 0.75 мкс

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.