Транзистор ГТ309

 

Цоколевка транзистора ГТ309
Цоколевка транзистора ГТ309

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ309А 2SA272
ГТ309Б AFI78
ГТ309В 2SA272
ГТ309Г 2SA266
ГТ309Д 2SA268
ГТ309Е 2SA69
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  — 75 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥120 МГц
Б ≥120
В ≥80
Г ≥80
Д ≥80
Е ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 10 В
Б 10
В 10
Г 10
Д 10
Е 10
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 1.5 В
Б 1.5
В 1.5
Г 1.5
Д 1.5
Е 1.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 10 мА
Б 10
В 10
Г 10
Д 10
Е 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 5 В ≤5 мкА
Б 5 В ≤5
В 5 В ≤5
Г 5 В ≤5
Д 5 В ≤2
Е 5 В ≤2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  5 В; 1 мА 20…70
Б 5 В; 1 мА 60…180
В 5 В; 1 мА 20…70
Г 5 В; 1 мА 60…180
Д 5 В; 1 мА 20…70
Е 5 В; 1 мА 60…180
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤30 пФ
Б 5 В ≤30
В 5 В ≤30
Г 5 В ≤30
Д 1.2 В ≤40
Е 1.2 В ≤40
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А Ом
Б
В
Г
Д
Е
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б 1.6 МГц ≤6
В 1.6 МГц ≤6
Г
Д
Е
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤500 пс
Б ≤500
В ≤1000
Г ≤1000
Д ≤1000
Е ≤1000

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.