Транзистор ГТ329

Цоколевка транзистора ГТ329
Цоколевка транзистора ГТ329

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ329А 2N5044
ГТ329Б 2N5043
ГТ329В
ГТ329Г
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А 40°С 50 мВт
Б 40°С 50
В 40°С 50
Г 60°С 25
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥1200 МГц
Б ≥1680
В ≥990
Г ≥700
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 10 В
Б 10
В 10
Г 10
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 0.5 В
Б 0.5
В 1
Г 0.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 20 мА
Б 20
В 20
Г 20
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 10 В ≤5 мкА
Б 10 В ≤5
В 10 В ≤5
Г 10 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  5 В; 5 мА 15…300*
Б 5 В; 5 мА 15…300*
В 5 В; 5 мА 15…300*
Г 5 В; 5 мА 15…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤2 пФ
Б 5 В ≤3
В 5 В ≤3
Г 5 В ≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А Ом
Б
В
Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А 400 МГц ≤4 Дб, Ом, Вт
Б 400 МГц ≤6
В 400 МГц ≤6
Г 400 МГц ≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤15 пс
Б ≤30
В ≤20
Г ≤15

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.