Транзистор ГТ703

Цоколевка транзистора ГТ703
Цоколевка транзистора ГТ703

 

Параметры транзистора ГТ703
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ703А AD148
ГТ703Б 2NU73
ГТ703В AD148, ADY27
ГТ703Г AD150, AD162
ГТ703Д 4NU73
Структура  — p-n-p Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А  — 15*
Б  — 15*
В  — 15*
Г  — 15*
Д  — 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥0.01** МГц
Б ≥0.01**
В ≥0.01**
Г ≥0.01**
Д ≥0.01**
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 0.05к 20 В
Б 0.05к 20
В 0.05к 30
Г 0.05к 30
Д 0.05к 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А 10 В
Б 10
В 10
Г 10
Д 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 3.5 А
Б 3.5
В 3.5
Г 3.5
Д 3.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А ≤500 мкА
Б ≤500
В ≤500
Г ≤500
Д ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  1 В; 50 мА 30…70*
Б 1 В; 50 мА 50…100*
В 1 В; 50 мА 30…70*
Г 1 В; 50 мА 50…100*
Д 1 В; 50 мА 20…45*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А пФ
Б
В
Г
Д
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А ≤0.2 Ом
Б ≤0.2
В ≤0.2
Г ≤0.2
Д ≤0.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б
В
Г
Д
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А пс
Б
В
Г
Д

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.