Транзистор полевой КП313

Цоколевка транзистора КП313
Цоколевка транзистора КП313

 

Описание

Малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП313
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — C изолированным затвором и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП313А 75 мВт, (Вт*)
КП313Б 75
КП313В 75
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП313А ≥6 В
КП313Б ≥6
КП313В ≥6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП313А 15; 15* В
КП313Б 15; 15*
КП313В 15; 15*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП313А 10 В
КП313Б 10
КП313В 10
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП313А 15 мА
КП313Б 15
КП313В 15
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП313А мА
КП313Б
КП313В
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП313А 10 В; 5 мА 4.5…10.5 мА/В
КП313Б 10 В; 5 мА 4.5…10.5
КП313В 10 В; 5 мА 4.5…10.5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП313А ≤7; ≤0.9* пФ
КП313Б ≤7; ≤0.9*
КП313В ≤7; ≤0.9*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП313А 250 МГц ≥10* Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП313Б 250 МГц ≥10*
КП313В 250 МГц ≥10*
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП313А 250 МГц ≤7.5* Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП313Б 250 МГц ≤7.5*
КП313В 250 МГц ≤7.5*
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП313А 300** нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП313Б 300**
КП313В 300**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.