Транзистор КТ209

Цоколевка транзистора КТ209
Цоколевка транзистора КТ209

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ209А MPS404
КТ209Б MPS404
КТ209В MPS404
КТ209В2 MPS404
КТ209Г MPS404
КТ209Д MPS404
КТ209Е MPS404
КТ209Ж MPS404
КТ209И MPS404
КТ209К MPS404A
КТ209Л MPS404A
КТ209М MPS404A
КТ209К9 ММВТ404А
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  35 °С 200 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ209А ≥5 МГц
КТ209Б ≥5
КТ209В ≥5
КТ209В2 ≥5
КТ209Г ≥5
КТ209Д ≥5
КТ209Е ≥5
КТ209Ж ≥5
КТ209И ≥5
КТ209К  — ≥5
КТ209Л  — ≥5
КТ209М  — ≥5
КТ209К9 ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ209А 15 В
КТ209Б 15
КТ209В 15
КТ209В2 15
КТ209Г 30
КТ209Д 30
КТ209Е 30
КТ209Ж 45
КТ209И 45
КТ209К 45
КТ209Л 60
КТ209М 60
КТ209К9 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ209А  — 10 В
КТ209Б 10
КТ209В 10
КТ209В2 10
КТ209Г 10
КТ209Д 10
КТ209Е 10
КТ209Ж 20
КТ209И 20
КТ209К 20
КТ209Л 20
КТ209М 20
КТ209К9 25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ209А 300(500*) мА
КТ209Б 300(500*)
КТ209В 300(500*)
КТ209В2 300(500*)
КТ209Г 300(500*)
КТ209Д 300(500*)
КТ209Е 300(500*)
КТ209Ж 300(500*)
КТ209И 300(500*)
КТ209К 300(500*)
КТ209Л 300(500*)
КТ209М 300(500*)
КТ209К9 150
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ209А 15 В ≤1* мкА
КТ209Б 15 В ≤1*
КТ209В 15 В ≤1*
КТ209В2 15 В ≤1*
КТ209Г 30 В ≤1*
КТ209Д 30 В ≤1*
КТ209Е 30 В ≤1*
КТ209Ж 45 В ≤1*
КТ209И 45 В ≤1*
КТ209К 45 В ≤1*
КТ209Л 60 В ≤1*
КТ209М 60 В ≤1*
КТ209К9 ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ209А  1 В; 30 мА 20…60*
КТ209Б 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209В 1 В; 30 мА 80…240*
КТ209В2 ≥200*
КТ209Г 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209Д 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209Е 1 В; 30 мА 80…240*
КТ209Ж 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209И 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209К 1 В; 30 мА 80…160*
КТ209Л 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209М 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209К9 0.2 В; 12 мА ≥30
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ209А 10 В ≤50 пФ
КТ209Б 10 В ≤50
КТ209В 10 В ≤50
КТ209В2 10 В ≤50
КТ209Г 10 В ≤50
КТ209Д 10 В ≤50
КТ209Е 10 В ≤50
КТ209Ж 10 В ≤50
КТ209И 10 В ≤50
КТ209К 10 В ≤50
КТ209Л 10 В ≤50
КТ209М 10 В ≤50
КТ209К9 ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ209А ≤1.3 Ом
КТ209Б ≤1.3
КТ209В ≤1.3
КТ209В2 ≤1.3
КТ209Г ≤1.3
КТ209Д ≤1.3
КТ209Е ≤1.3
КТ209Ж ≤1.3
КТ209И ≤1.3
КТ209К ≤1.3
КТ209Л ≤1.3
КТ209М ≤1.3
КТ209К9 ≤1.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ209А Дб, Ом, Вт
КТ209Б
КТ209В 1 кГц ≤5
КТ209В2 1 кГц ≤5
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е 1 кГц ≤5
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К 1 кГц ≤5
КТ209Л
КТ209М
КТ209К9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ209А пс
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ209К9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

 

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.