Транзистор КТ315

Цоколевка транзистора КТ315
Цоколевка транзистора КТ315

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой  частоты. Выпускаются в пластмассовом  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.18 г.

 

Параметры транзистора КТ315
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ315А BFP719
КТ315Б BFP20, 2N2712
КТ315В BFP721
КТ315Г BFP722
КТ315Д 2SC641
КТ315Е 2N3397
КТ315Ж 2N2711
КТ315И 2SC634
КТ315Н BFP722
КТ315Р 2SC633
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ315А 150(250*) мВт
КТ315Б 150(250*)
КТ315В 150(250*)
КТ315Г 150(250*)
КТ315Д 150(250*)
КТ315Е 150(250*)
КТ315Ж 100
КТ315И 100
КТ315Н 150
КТ315Р 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ315А ≥250 МГц
КТ315Б ≥250
КТ315В ≥250
КТ315Г ≥250
КТ315Д ≥250
КТ315Е ≥250
КТ315Ж ≥250
КТ315И ≥250
КТ315Н ≥250
КТ315Р ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ315А 25 В
КТ315Б 20
КТ315В 40
КТ315Г 35
КТ315Д 10к 40*
КТ315Е 10к 35*
КТ315Ж 10к 20*
КТ315И 10к 60*
КТ315Н 10к 35*
КТ315Р 10к 35*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ315А 6 В
КТ315Б 6
КТ315В 6
КТ315Г 6
КТ315Д 6
КТ315Е 6
КТ315Ж 6
КТ315И 6
КТ315Н 6
КТ315Р 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ315А 100 мА
КТ315Б 100
КТ315В 100
КТ315Г 100
КТ315Д 100
КТ315Е 100
КТ315Ж 50
КТ315И 50
КТ315Н 100
КТ315Р 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ315А 10 В ≤0.5 мкА
КТ315Б 10 В ≤0.5
КТ315В 10 В ≤0.5
КТ315Г 10 В ≤0.5
КТ315Д 10 В ≤0.6
КТ315Е 10 В ≤0.6
КТ315Ж 10 В ≤0.6
КТ315И 10 В ≤0.6
КТ315Н 10 В ≤0.6
КТ315Р 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ315А 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Б 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315В 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Г 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Д 10 В; 1 мА 20…90*
КТ315Е 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Ж 10 В; 1 мА 30…250*
КТ315И 10 В; 1 мА ≥30*
КТ315Н 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Р 10 В; 1 мА 150…350*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ315А 10 В ≤7 пФ
КТ315Б 10 В ≤7
КТ315В 10 В ≤7
КТ315Г 10 В ≤7
КТ315Д 10 В ≤7
КТ315Е 10 В ≤7
КТ315Ж 10 В ≤10
КТ315И 10 В ≤10
КТ315Н 10 В ≤7
КТ315Р 10 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ315А ≤20 Ом, дБ
КТ315Б ≤20
КТ315В ≤20
КТ315Г ≤20
КТ315Д ≤30
КТ315Е ≤30
КТ315Ж ≤25
КТ315И ≤45
КТ315Н ≤5.5
КТ315Р ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ315А ≤40* Дб, Ом, Вт
КТ315Б ≤40*
КТ315В ≤40*
КТ315Г ≤40*
КТ315Д ≤40*
КТ315Е ≤40*
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ315А ≤300 пс
КТ315Б ≤500
КТ315В ≤500
КТ315Г ≤500
КТ315Д ≤1000
КТ315Е ≤1000
КТ315Ж ≤800
КТ315И ≤950
КТ315Н ≤1000
КТ315Р ≤500

 

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектор
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы

 

Параметры транзистора КТ315-1
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ315А-1 150 мВт
КТ315Б-1 150
КТ315В-1 150
КТ315Г-1 150
КТ315Д-1 150
КТ315Е-1 150
КТ315Ж-1 100
КТ315И-1 100
КТ315Н-1 150
КТ315Р-1 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ315А-1 ≥250 МГц
КТ315Б-1 ≥250
КТ315В-1 ≥250
КТ315Г-1 ≥250
КТ315Д-1 ≥250
КТ315Е-1 ≥250
КТ315Ж-1 ≥250
КТ315И-1 ≥250
КТ315Н-1 ≥250
КТ315Р-1 ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ315А-1 25 В
КТ315Б-1 20
КТ315В-1 40
КТ315Г-1 35
КТ315Д-1 40
КТ315Е-1 35
КТ315Ж-1 15
КТ315И-1 60
КТ315Н-1 20
КТ315Р-1 35
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ315А-1 6 В
КТ315Б-1 6
КТ315В-1 6
КТ315Г-1 6
КТ315Д-1 6
КТ315Е-1 6
КТ315Ж-1 6
КТ315И-1 6
КТ315Н-1 6
КТ315Р-1 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ315А-1 100 мА
КТ315Б-1 100
КТ315В-1 100
КТ315Г-1 100
КТ315Д-1 100
КТ315Е-1 100
КТ315Ж-1 100
КТ315И-1 100
КТ315Н-1 100
КТ315Р-1 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ315А-1 10 В ≤0.5 мкА
КТ315Б-1 10 В ≤0.5
КТ315В-1 10 В ≤0.5
КТ315Г-1 10 В ≤0.5
КТ315Д-1 10 В ≤0.5
КТ315Е-1 10 В ≤0.5
КТ315Ж-1 10 В ≤0.5
КТ315И-1 10 В ≤0.5
КТ315Н-1 10 В ≤0.5
КТ315Р-1 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ315А-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Б-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315В-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Г-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315Д-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Е-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Ж-1 10 В; 1 мА 30…250
КТ315И-1 10 В; 1 мА 30
КТ315Н-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315Р-1 10 В; 1 мА 150…350
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ315А-1 10 В ≤7 пФ
КТ315Б-1 10 В ≤7
КТ315В-1 10 В ≤7
КТ315Г-1 10 В ≤7
КТ315Д-1 10 В ≤7
КТ315Е-1 10 В ≤7
КТ315Ж-1 10 В ≤7
КТ315И-1 10 В ≤7
КТ315Н-1 10 В ≤7
КТ315Р-1 10 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ315А-1 ≤20 Ом, дБ
КТ315Б-1 ≤20
КТ315В-1 ≤20
КТ315Г-1 ≤20
КТ315Д-1 ≤20
КТ315Е-1 ≤20
КТ315Ж-1 ≤20
КТ315И-1 ≤20
КТ315Н-1
КТ315Р-1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ315А-1 ≤40* Дб, Ом, Вт
КТ315Б-1 ≤40*
КТ315В-1 ≤40*
КТ315Г-1 ≤40*
КТ315Д-1 ≤40*
КТ315Е-1 ≤40*
КТ315Ж-1 ≤40*
КТ315И-1 ≤40*
КТ315Н-1
КТ315Р-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ315А-1 ≤300 пс
КТ315Б-1 ≤300
КТ315В-1 ≤300
КТ315Г-1 ≤300
КТ315Д-1 ≤300
КТ315Е-1 ≤300
КТ315Ж-1 ≤300
КТ315И-1 ≤300
КТ315Н-1
КТ315Р-1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.