• Передовая технология процесса изготовления.
• Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
• Динамическое значение dv/dt.
• Рабочая температура 175 °C.
• Быстрое переключение.
• Полностью нормированные лавинные параметры

Описание

Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.

Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.

Читать далее «IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®» →