Транзистор полевой КП809

Цоколевка транзисторов КП809, КП810
Цоколевка транзисторов КП809, КП810

 

Параметры транзистора КП809
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП809А IRF340, SFN350, SFN350A,

NSF350, 2N6768
КП809Б BUZ45 *1, SFN440, 2N6914, BUZ330 *1, FSF450R1 *1, FSF450R3 *1, FSF450R4 *1, FSF450D1 *1, FSF450D3 *1, FSF450D4 *1
КП809В BUZ94, ECG2386, NTE2386,

SSP6N60A *1, SSH6N60A *1, MTP6N60F *1, MTP6N60 *1, MTB6N60E *1, SDF6N60JAAEGD1N *1, SDF6N60JAAEGSN *1, SDF6N60JAAEGU1N *1, SDF6N60JAAEHD1N *1, SDF6N60JAAEHSN *1, SDF6N60JAAEHU1N *1, SDF6N60JAASGD1N *1, SDF6N60JAASGSN *1, SDF6N60JAASGU1N *1, SDF6N60JAASHD1N *1, SDF6N60JAASHSN *1, SDF6N60JAASHU1N *1, SDF6N60JAAVGD1N *1, SDF6N60JAAVGSN *1, SDF6N60JAAVGU1N *1, SDF6N60JAAVHD1N *1, SDF6N60JAAVHSN *1, SDF6N60JAAVHU1N *1, SDF6N60JAAXGD1N *1, SDF6N60JAAXGSN *1, SDF6N60JAAXGU1N *1, SDF6N60JAAXHD1N *1, SDF6N60JAAXHSN *1, SDF6N60JAAXHU1N *1, SDF6N60JABEGD1N *1, SDF6N60JABEGSN *1, SDF6N60JABEGU1N *1, SDF6N60JABEHD1N *1, SDF6N60JABEHSN *1, SDF6N60JABEHU1N *1, SDF6N60JABSGD1N *1, SDF6N60JABSGSN *1, SDF6N60JABSGU1N *1, SDF6N60JABSHD1N *1, SDF6N60JABSHSN *1, SDF6N60JABSHU1N *1, SDF6N60JABVGD1N *1, SDF6N60JABVGSN *1, SDF6N60JABVGU1N *1, SDF6N60JABVHD1N *1, SDF6N60JABVHSN *1, SDF6N60JABVHU1N *1, SDF6N60JABXGD1N *1, SDF6N60JABXGSN *1, SDF6N60JABXGU1N *1, SDF6N60JABXHD1N *1, SDF6N60JABXHSN *1, SDF6N60JABXHU1N *1
КП809Г 2SK3333 *1, 2SK2333 *1
КП809Д BUZ220, STW7NA80 *1, STH7NA80 *1, SSH6N80 *1
КП809Е SML752R4AN, APT752R4AN,

SML752R4CN *1, APT752R4CN *1, SML752R4GN *1, APT752R4GN *1
КП809А1 BUZ323, СНМ11Т-М155, СНМ11С-М155
КП809Б1 BUZ384, 2SK683, RFH10N50,

BUZ330
КП809В1 STH8NA60FI *2
КП809Г1 2SK684 *2
КП809Д1 STH7NA80, STH7NA80FI
КП809Е1 STH6NA80FI *2, СНМ74С-М155 *2, СНМ74Т-М155 *2
Структура КП809А nМОП
КП809Б
КП809В
КП809Г
КП809Д
КП809Е
КП809К
КП809А1
КП809Б1
КП809В1
КП809Г1
КП809Д1
КП809Е1 —
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП809А — 100* мВт, (Вт*)
КП809Б — 100*
КП809В — 100*
КП809Г — 100*
КП809Д — 100*
КП809Е — 100*
КП809К — 150*
КП809А1 — 50*
КП809Б1 — 50*
КП809В1 — 50*
КП809Г1 — 50*
КП809Д1 — 50*
КП809Е1 — 50*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП809А — 1.5…5 В
КП809Б — —
КП809В — —
КП809Г — —
КП809Д — —
КП809Е — —
КП809К — —
КП809А1 — —
КП809Б1 — —
КП809В1 — —
КП809Г1 — —
КП809Д1 — —
КП809Е1 — —
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП809А — 400 В
КП809Б — 500
КП809В — 600
КП809Г — 700
КП809Д — 800
КП809Е — 750
КП809К — 400
КП809А1 — 400
КП809Б1 — 500
КП809В1 — 600
КП809Г1 — 700
КП809Д1 — 800
КП809Е1 — 750
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП809А — ±20 В
КП809Б — ±20
КП809В — ±20
КП809Г — ±20
КП809Д — ±20
КП809Е — ±20
КП809К — ±20
КП809А1 — ±20
КП809Б1 — ±20
КП809В1 — ±20
КП809Г1 — ±20
КП809Д1 — ±20
КП809Е1 — ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП809А — 9.6(35*) А
КП809Б — 9.6(35*)
КП809В — 9.6(35*)
КП809Г — 9.6(35*)
КП809Д — 9.6(35*)
КП809Е — 9.6(35*)
КП809К — 20*
КП809А1 — 9.6(35*)
КП809Б1 — 9.6(35*)
КП809В1 — 9.6(35*)
КП809Г1 — 9.6(35*)
КП809Д1 — 9.6(35*)
КП809Е1 — 9.6(35*)
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП809А 400 В ≤1 мА
КП809Б — ≤0.25; ≤1*
КП809В — ≤0.25; ≤1*
КП809Г — ≤0.25; ≤1*
КП809Д — ≤0.25; ≤1*
КП809Е — ≤0.25; ≤1*
КП809К — ≤0.25; ≤1*
КП809А1 — ≤0.25; ≤1*
КП809Б1 — ≤0.25; ≤1*
КП809В1 — ≤0.25; ≤1*
КП809Г1 — ≤0.25; ≤1*
КП809Д1 — ≤0.25; ≤1*
КП809Е1 — ≤0.25; ≤1*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП809А 20 В; 3 А ≥1500 мА/В
КП809Б 20 В; 3 А ≥1500
КП809В 20 В; 3 А ≥1500
КП809Г 20 В; 3 А ≥1500
КП809Д 20 В; 3 А ≥1500
КП809Е 20 В; 3 А ≥1500
КП809К 20 В; 3 А ≥1500
КП809А1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Б1 20 В; 3 А ≥1500
КП809В1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Г1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Д1 20 В; 3 А ≥1500
КП809Е1 20 В; 3 А ≥1500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП809А — ≤3000; ≤220*
 пФ
КП809Б — ≤3000; ≤220*
КП809В — ≤3000; ≤220*
КП809Г — ≤3000; ≤220*
КП809Д — ≤3000; ≤220*
КП809Е — ≤3000; ≤220*
КП809К — ≤3000; ≤220*
КП809А1 — ≤3000; ≤220*
КП809Б1 — ≤3000; ≤220*
КП809В1 — ≤3000; ≤220*
КП809Г1 — ≤3000; ≤220*
КП809Д1 — ≤3000; ≤220*
КП809Е1 — ≤3000; ≤220*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП809А — ≤0.3 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП809Б — ≤0.6
КП809В — ≤1.2
КП809Г — ≤1.5
КП809Д — ≤1.8
КП809Е — ≤2.5
КП809К — ≤0.15
КП809А1 — ≤0.3
КП809Б1 — ≤0.6
КП809В1 — ≤1.2
КП809Г1 — ≤1.5
КП809Д1 — ≤1.8
КП809Е1 — ≤2.5
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП809А — — Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП809Б — —
КП809В — —
КП809Г — —
КП809Д —
КП809Е —
КП809К —
КП809А1 —
КП809Б1 —
КП809В1
КП809Г1 —
КП809Д1 —
КП809Е1 —
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП809А — tсп≤100 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП809Б — tсп≤100
КП809В — tсп≤100
КП809Г — tсп≤100
КП809Д — tсп≤100
КП809Е — tсп≤100
КП809К — tсп≤100
КП809А1 — tсп≤100
КП809Б1 — tсп≤100
КП809В1 — tсп≤100
КП809Г1 — tсп≤100
КП809Д1 — tсп≤100
КП809Е1 — tсп≤100

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.