Свойства
- Мощные симисторы
- Низкое тепловое сопротивление
- Высокая коммутирующая способность
- Сертифицированы по стандарту UL1557
- Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)
Применение
- В качестве ключа в релейных схемах, для регулировки нагрева, в цепях запуска асинхронных электродвигателей
- Для управления фазой в димерах света, в регуляторах частоты вращения коллекторных двигателей
Описание
Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).
| Обозначение | Параметр | BTA40(1) | BTA41(1) | BTB41 | Ед. изм |
| IT(RMS) | Действующий ток в открытом состоянии | 40 | 41 | 41 | А |
| VDRM/VRRM | Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии | 600 и 800 | 600 и 800 | 600 и 800 | В |
| !gt | Отпирающий постоянный ток управления | 50 | 50 | 50 | мА |
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | ||
| IT(RMS) | Действующий ток в открытом состоянии (для полной синусоиды) | TOP3 | Tc = 95 °C | 40 | А |
| RD91 / TOP ins. | Tc = 80 °C | ||||
| ITSM | Ударный ток в открытом состоянии (для полного цикла, Tj initial = 25 °C) | F = 50 Гц | t = 20 мс | 400 | A |
| F = 60 Гц | t = 16.7 мс | 420 | |||
| l2t | l2t Значение плавления симистора | tp = 10 мс | 1000 | A2с | |
| dl/dt | Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии lG = 2 ·lGT , tr < 100 нс | F = 120 Гц | Tj = 125 °C | 50 | A/мкс |
| VDSM/VRSM | Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии | tp = 10 мс | Tj = 25 °C | VDSM/VRSM+ 100 | В |
| IGM | Импульсный ток управления | tp = 20 мкс | Tj = 125 °C | 8 | A |
| PG(AV) | Средняя рассеиваемая мощность управления | Tj = 125 °C | 1 | Вт | |
| Tstg | Температура хранения | -40…+ 150 | °C | ||
| Tj | Диапазон рабочих температур | -40…+ 125 | °C | ||
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | |||
| IGT(1) | Отпирающий постоянный ток управления | VD = 12 В, RL = 33 Ом | I- II — III | MAX. | 50 | мА |
| IV | 100 | |||||
| VGT | Постоянное отпирающее напряжение управления | все квадранты | MAX. | 1,3 | В | |
| VGD | Неотпирающее постоянное напряжение управления | VD = VDRM RL = 3.3 кОм Tj = 125 °C | все квадранты | MIN. | 0,2 | А |
| IH (2) | Ток удержания | lj = 500 mA | MAX. | 80 | мА | |
| IL | Ток включения тиристора | IG = 1.2 IGT | I-III-IV | MAX. | 70 | мА |
| II | 160 | |||||
| dV/dt(2) | Скорость нарастания напряжения | VD = 67% VDRM в открытом состоянии, Tj = 125 °C | MIN. | 500 | В/мкс | |
| (dV/dt)c(2) | Критическая скорость нарастания напряжения | (dl/dt)c = 20 А/мс, Tj = 125 °C | MIN. | 10 | В/мкс | |
- Минимум IGT гарантируется на уровне 5% от IGT max.
- Для обеих полярностей от A2 к A1.
| Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. | ||
| VT(1) | Напряжение в открытом состоянии ITM = 60 A, tp = 380 мкс | Tj = 25 °C | MAX. | 1,55 | В |
| Vt0(2) | Пороговое напряжение | Tj = 125 °C | MAX. | 0,85 | В |
| Rd(2) | Динамическое сопротивление | Tj = 125 °C | MAX. | 10 | мОм |
| IDRM | Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии VDRM = VRRM | Tj = 25 °C | MAX. | 5 | мкА |
| IRRM | Повторяющийся импульсный обратный ток VDRM = VRRM | Tj = 125 °C | 5 | мА | |
- Минимум IGT гарантируется на уровне 5% от IGT max.
- Для обеих полярностей от A2 к A1.
| Обозначение | Условия | Значение | Ед. изм. | |
| Rth(j-c) | Тепловое сопротивление переход-корпус | RD91 (изолированный корпус)/ТОРЗ изолированный | 0,9 | °С/Вт |
| TOP3 | 0,6 | |||
| Rth(j-a) | Тепловое сопротивление переход-среда | ТОРЗ / TOP3 изолированный | 50 | °С/Вт |
