Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.

 Абсолютные максимальные значения

Параметр			Обозначение	Значение	Ед. изм.
Напряжение сток-исток			VDS	400	В
Напряжение затвор-исток			VGS	± 20
Ток стока (постоянный)	VGS = 10 В	TC = 25 °C	ID	10	А
		TC = 100 °C		6.3
Ток стока (импульсный) a			IDM	40
Линейный коэффициент снижения мощности				1.0	Вт/°C
Энергия одиночного лавинного импульса b			EAS	520	мДж
Повторяющийся лавинный ток a			IAR	10	А
Энергия повторяющегося лавинного импульса a			EAR	13	мДж
Максимальная рассеиваемая мощность	TC = 25 °C		PD	125	Вт
Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dtc			dV/dt		В/нс
Температура перехода и температура хранения			TJ, Tstg	-55…+150	°C
Максимальная температура припоя	в течение 10 с			300d
Момент затяжки	болт М3			1.1	Н·м

1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
2. V_DD = 50 В, начальные условия T_J = 25 °C, L = 9.1 мГн, R_g = 25 Ом, I_AS = 10 A (см. Рис. 12).
3. I_SD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, V_DD ≤ V_DS, T_J ≤ 150 °C.
4. На расстоянии 1.6 мм от корпуса.

 

Тепловое сопротивление

Параметр	Обозначение	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Максимум кристалл-окружающая среда	RthJA	—	62	°C/Вт
Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностью	RthCS	0.5	—
Максимум кристалл-корпус (сток)	RthJC	—	1.0

 

 

 Спецификации (T_J = 25 °C)

Параметр	Обозначение	Условия		Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Статические
Напряжение пробоя сток-исток	VDS	VGS = 0 В, ID = 250 мкA		400	—	—	В
Температурный коэффициент  VDS	ΔVDS/TJ	Относительно 25 °C, ID = 1 мA		—	0.49	—	В/°C
Пороговое напряжение затвор-исток	VGS(th)	VDS = VGS, ID = 250 мкA		2.0	—	4.0	В
Ток утечки затвор-исток	IGSS	VGS = ± 20 В		—	—	± 100	нА
Начальный ток стока	IDSS	VDS = 400 В, VGS = 0 В		—	—	25	мкА
		VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125 °C		—	—	250	мкА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	RDS(on)	VGS = 10 В	ID = 6.0 Ab	—	—	0.55	Ом
Крутизна характеристики	gfs	VDS = 50 В, ID = 6.0 Ab		5.8	—	—	мА/В
Динамические
Входная емкость	Ciss	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1.0 МГц, см. Рис. 5		—	1400	—	пФ
Выходная емкость	Coss			—	330	—
Емкость обратной связи	Crss			—	120	—
Суммарный заряд затвора	Qg	VGS = 10 В	ID = 10 A, VDS = 320 В, см. Рис 6 и 13b	—	—	63	нКл
Заряд затвор-исток	Qgs			—	—	9.0
Заряд затвор-сток	Qgd			—	—	32
Время задержки включения	td(on)	VDD = 200 В, ID = 10 A Rg = 9.1 Ом, RD = 20 Ом, см. Рис. 10b		—	14	—	нс
Время нарастания	tr			—	27	—
Время задержки выключения	td(off)			—	50	—
Время спада	tf			—	24	—
Внутренняя индуктивность стока	LD	Между  точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода		—	4.5	—	нГн
Внутренняя индуктивность истока	LS			—	7.5	—
Характеристики встроенного паразитного диода
Постоянный ток через паразитный диод	IS	Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода		—	—	10	А
Импульсный ток через диод в прямом направлении	ISM			—	—	40	А
Напряжение на внутреннем диоде	VSD	TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 Вb		—	—	2.0	В
Время обратного восстановления диода	trr	TJ = 25 °C, IF = 10 A, dI/dt = 100 A/мксb		—	370	790	нс
Обратное восстановление заряда	Qrr			—	3.8	8.2	нКл
Время открытия в прямом направлении	ton	Внутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров LS и LD)

1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
2. Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.

 

Графики типовых характеристик