Цоколевка транзистора s8550
Особенности
- Рассеиваемая мощность PCM : 0.625 Вт ( Температура окружающей среды Tamb=25℃)
- Ток коллектора ICM : 0.5 А
- Напряжение коллектор-база V(BR)CBO : 40 В
Электрические характеристики (Tamb=25℃, если не указано иное)
| Параметр |
Обозначение |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. изм. |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
V(BR)CBO |
Ic= 100 мкА, IE=0 |
40 |
|
|
В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
V(BR)CEO |
Ic= 100 мкА, IB=0 |
25 |
|
|
В |
| Максимально допустимое напряжение эмиттер-база |
V(BR)EBO |
IE= 100 мкА, IC=0 |
5 |
|
|
В |
| Обратный ток коллектора |
ICBO |
VCB= 40 В , IE=0 |
|
|
0.1 |
мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер |
ICEO |
VCE= 20 В , IB=0 |
|
|
0.2 |
мкА |
| Обратный ток эмиттера |
IEBO |
VEB= 3 В, IC=0 |
|
|
0.1 |
мкА |
| Коэффициент усиления по току |
HFE(1) |
VCE= 1 В, IC= 50 мА |
85 |
|
300 |
|
| HFE(1) |
VCE= 1 В, IC= 500 мА |
50 |
|
|
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
VCE(sat) |
IC= 500 мА, IB= 50 мА |
|
|
0.6 |
В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер |
VBE(sat) |
IC= 500 мА, IB= 50 мА |
|
|
1.2 |
В |
| Напряжение база-эмиттер |
VBE |
IE= 100 мА |
|
|
1.4 |
В |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
fT |
VCE= 6 В, IC= 20 мА, f = 30 мГц |
150 |
|
|
мГц |
Классификация по HFE(1)
| Класс |
B |
C |
D |
| Диапазон |
85-160 |
120-200 |
160-300 |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.