Общие черты
| Тип | VDSS | RDS(on) | ID |
| STP60NF06 | 60 В | < 0,016 Ом | 60 А |
- Возможность экспоненциального изменения dv/dt
- 100% проверка лавинного пробоя
- Применение ориентированных
Это серия мощных MOSFET транзисторов с применением технологии STripFET, которая дает уменьшение входной емкости и заряда затвора. Поэтому они подходят для применения в качестве основного ключа в изолированных DC-DC конвертерах для телекоммуникационного и компьютерного оборудования. Также возможно применение в цепях с требованиями к низкому заряду затвора.
1 Электрические характеристики
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. |
| VDS | Напряжение сток-исток (VGS = 0) | 60 | В |
| VGS | Напряжение затвор-исток | ±20 | В |
| ID | Ток стока(непрерывный) при TC = 25°C | 60 | А |
| ID | Ток стока(непрерывный) при TC = 100°C | 42 | А |
| IDM(1) | Ток стока(импульсный) | 240 | А |
| PTOT | Общая рассеиваемая мощность при TC = 25°C | 110 | Вт |
| Коэффициент снижения номинальной мощности | 0.74 | Вт/°C | |
| dv/dt (2) | Крутизна пика восстанавливающегося напряжения на диоде | 7.5 | В/нс |
| Tstg | Температура хранения | от -55 до 175 | °C |
| Tj | Максимальная рабочая температура p-n перехода |