| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ312А | 2N702, ST70000 *3 | |||
| КТ312Б | BCY42, 2SC105, BFR25 *3 | ||||
| КТ312В | BCY43, 2N703, 2N3340 *1, КТС2669 *3, 2SC380 *3, KSC2669 *1, KSC838 *1 | ||||
| КТ312Б1 | 2SC33 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 225 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ312А(1) | — | ≥80 | МГц |
| КТ312Б(1) | — | ≥120 | |||
| КТ312В(1) | — | ≥120 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ312А(1) | — | 20 | В |
| КТ312Б(1) | — | 35 | |||
| КТ312В(1) | — | 20 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ312А(1) | — | 4 | В |
| КТ312Б(1) | — | 4 | |||
| КТ312В(1) | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ312А(1) | — | 30(60*) | мА |
| КТ312Б(1) | — | 30(60*) | |||
| КТ312В(1) | — | 30(60*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ312А(1) | 20 В | ≤10 | мкА |
| КТ312Б(1) | 35 В | ≤10 | |||
| КТ312В(1) | 20 В | ≤10 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ312А(1) | 2 В; 20 мА | 10…100* | |
| КТ312Б(1) | 2 В; 20 мА | 25…100* | |||
| КТ312В(1) | 2 В; 20 мА | 50…280* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ312А(1) | 10 В | ≤5 | пФ |
| КТ312Б(1) | 10 В | ≤5 | |||
| КТ312В(1) | 10 В | ≤5 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ312А(1) | — | ≤40 | Ом |
| КТ312Б(1) | — | ≤40 | |||
| КТ312В(1) | — | ≤40 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ312А(1) | 100 МГц | ≤6 | Дб, Ом, Вт |
| КТ312Б(1) | 100 МГц | ≤6 | |||
| КТ312В(1) | 100 МГц | ≤6 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ312А(1) | — | ≤500; ≤100* | пс |
| КТ312Б(1) | — | ≤500; ≤130* | |||
| КТ312В(1) | — | ≤500; ≤130* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.