
Описание
Транзисторы германиевые сплавные маломощные. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.1 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | ГТ109А | ОС57 | |||
ГТ109Б | ОС58, 2N77 | ||||
ГТ109В | ОС59 | ||||
ГТ109Г | 2SB90 | ||||
ГТ109Д | 2SA53 | ||||
ГТ109Е | 2N139, 2SA49 | ||||
ГТ109Ж | 2SB90 | ||||
ГТ109И | 2SA49 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 30 | мВт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥1* | МГц |
Б | — | ≥1* | |||
В | — | ≥1* | |||
Г | — | ≥1* | |||
Д | — | ≥3* | |||
Е | — | ≥5* | |||
Ж | — | — | |||
И | — | ≥1* | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | 18 имп. | 10 | В |
Б | 18 имп. | 10 | |||
В | 18 имп. | 10 | |||
Г | 18 имп. | 10 | |||
Д | 18 имп. | 10 | |||
Е | 18 имп. | 10 | |||
Ж | 18 имп. | 10 | |||
И | 18 имп. | 10 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | — | В |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | — | — | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 20 | мА |
Б | — | 20 | |||
В | — | 20 | |||
Г | — | 20 | |||
Д | — | 20 | |||
Е | — | 20 | |||
Ж | — | 20 | |||
И | — | 20 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 5 В | ≤5 | мкА |
Б | 5 В | ≤5 | |||
В | 5 В | ≤5 | |||
Г | 5 В | ≤5 | |||
Д | 1.2 В | ≤2 | |||
Е | 1.2 В | ≤2 | |||
Ж | 1.5 В | ≤1 | |||
И | 5 В | ≤5 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 5 В; 1 мА | 20…50 | |
Б | 5 В; 1 мА | 35…80 | |||
В | 5 В; 1 мА | 60…130 | |||
Г | 5 В; 1 мА | 110…250 | |||
Д | 5 В; 1 мА | 20…70 | |||
Е | 5 В; 1 мА | 50…100 | |||
Ж | 1.5 В | ≥100* | |||
И | 5 В; 1 мА | 20…80 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | 5 В | ≤30 | пФ |
Б | 5 В | ≤30 | |||
В | 5 В | ≤30 | |||
Г | 5 В | ≤30 | |||
Д | 1.2 В | ≤40 | |||
Е | 1.2 В | ≤40 | |||
Ж | — | — | |||
И | 5 В | ≤30 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | — | Ом |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
Б | — | — | |||
В | — | — | |||
Г | — | — | |||
Д | — | — | |||
Е | — | — | |||
Ж | — | — | |||
И | 1 кГц | ≤12 | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | ≤10000 | пс |
Б | — | ≤10000 | |||
В | — | ≤10000 | |||
Г | — | ≤10000 | |||
Д | — | ≤10000 | |||
Е | — | ≤10000 | |||
Ж | — | ≤10000 | |||
И | — | ≤10000 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.