Описание
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | ГТ308А | — | 2N797 | ||
| ГТ308Б | — | 2N796 | |||
| ГТ308В | — | 2N2048 | |||
| ГТ308Г | — | — | |||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 150(360**) | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥90 | МГц |
| Б | — | ≥120 | |||
| В | — | ≥120 | |||
| Г | — | ≥120 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | — | 20 | В |
| Б | — | 20 | |||
| В | — | 20 | |||
| Г | — | 20* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | 3 | В |
| Б | — | 3 | |||
| В | — | 3 | |||
| Г | — | 3 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 50(120*) | мА |
| Б | — | 50(120*) | |||
| В | — | 50(120*) | |||
| Г | — | 50(120*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 5 В | ≤2 | мкА |
| Б | 5 В | ≤2 | |||
| В | 5 В | ≤2 | |||
| Г | 5 В | ≤2 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 1 В; 10 мА | 20…75* | |
| Б | 1 В; 10 мА | 50…120* | |||
| В | 1 В; 10 мА | 80…200* | |||
| Г | 1 В; 10 мА | 80…150 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | 5 В | ≤8 | пФ |
| Б | 5 В | ≤8 | |||
| В | 5 В | ≤8 | |||
| Г | 5 В | ≤8 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | ≤30 | Ом |
| Б | — | ≤24 | |||
| В | — | ≤24 | |||
| Г | — | ≤24 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| Б | — | — | |||
| В | 1.6 МГц | ≤8 | |||
| Г | 1.6 МГц | ≤8 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | ≤400 | пс |
| Б | — | ≤1000* | |||
| В | — | ≤400 | |||
| Г | — | ≤500 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.