Транзистор ГТ311

Цоколевка транзистора ГТ311
Цоколевка транзистора ГТ311

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ311А — 2N2699
ГТ311Б — 2N2699
ГТ311В — 2N2482
ГТ311Г — 2N1585
ГТ311Д — 2N2482
ГТ311Е — 2N2699
ГТ311Ж — 2NI585
ГТ311И — 2N797
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max —  — 150 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А — ≥300 МГц
Б — ≥300
В — ≥450
Г — ≥450
Д — ≥600
Е — ≥250
Ж — ≥300
И — ≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А — 12 В
Б — 12
В — 12
Г — 12
Д — 12
Е 20 имп. 10
Ж 20 имп. 10
И  — 10
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 2 В
Б — 2
В — 2
Г — 2
Д — 2
Е — 2
Ж — 2
И — 1.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А — 50 мА
Б — 50
В — 50
Г — 50
Д — 50
Е — 50
Ж — 50
И — 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 5 В ≤5 мкА
Б 5 В ≤5
В 5 В ≤5
Г 5 В ≤5
Д 5 В ≤5
Е 12 В ≤5
Ж 12 В ≤5
И 10 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  3 В; 5 мА 15…80*
Б 3 В; 5 мА 30…180*
В 3 В; 5 мА 15…50*
Г 3 В; 5 мА 30…80*
Д 3 В; 5 мА 60…180*
Е 3 В; 5 мА 20…80*
Ж 3 В; 5 мА 50…200*
И 3 В; 5 мА 100..300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤2.5 пФ
Б 5 В ≤2.5
В 5 В ≤2.5
Г 5 В ≤2.5
Д 5 В ≤2.5
Е 5 В ≤2.5
Ж 5 В ≤2.5
И 5 В ≤2.5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А — ≤20 Ом
Б — ≤20
В — ≤20
Г — ≤20
Д — ≤20
Е — ≤20
Ж — ≤20
И — ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А — — Дб, Ом, Вт
Б — —
В — —
Г — —
Д — —
Е — —
Ж — —
И — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А — ≤50* пс
Б — ≤50*
В — ≤50*
Г — ≤50*
Д — ≤50*
Е — ≤75;≤50*
Ж — ≤100;≤50*
И — ≤100;≤50*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт