Транзистор ГТ346

Цоколевка транзистора ГТ346
Цоколевка транзистора ГТ346

 

Параметры транзистора ГТ346
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог ГТ346А — AF239, AF253
ГТ346Б — AF139. AF240
ГТ346Г — AF239S
Структура —  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А 55°С 50 мВт
Б 55°С 50
В 55°С 50
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А — ≥700 МГц
Б — ≥550
В — ≥550
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А — 20 В
Б — 20
В — 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 0.3 В
Б — 0.3
В — 0.3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А — 10 мА
Б — 10
В — 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 20 В ≤10 мкА
Б 20 В ≤10
В 20 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  10 В; 2 мА 10…150
Б 10 В; 2 мА 10…150
В 10 В; 2 мА 15…150
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤1.3 пФ
Б 5 В ≤1.3
В 5 В ≤1.3
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А — — Ом
Б — —
В — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А 800 МГц ≤6 Дб, Ом, Вт
Б 800 МГц ≤8
В 200 МГц ≤2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А — ≤3 пс
Б — ≤5.5
В — ≤6

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт