Транзистор полевой КП101

Цоколевка транзистора КП101
Цоколевка транзистора КП101

Описание

Малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП101
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог 2П101А 2N5799 *3
2П101Б 2SJ106Y *1, 2N5800 *3
2П101В CMPF5460 *1, 2N5460R *1, FP222 *1, MMBF5460LT1 *3, MFE2608H, MFE2608HX
КП101Г 2N5472
КП101Д 2N5460R *1, FP22.2 *1, UC855
КП101Е 2N5474
Структура  — C p-n переходом и p-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП101Г — 50 мВт, (Вт*)
КП101Д — 50
КП101Е — 50
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП101Г — 5 В
КП101Д — 6
КП101Е — 6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП101Г — 10 В
КП101Д — 10
КП101Е — 10
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП101Г — 10 В
КП101Д — 10
КП101Е — 10
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП101Г — 2 мА
КП101Д — 5
КП101Е — 5
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП101Г — 0.15…2 мА
КП101Д — 0.3…4
КП101Е — 0.5…5
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП101Г 5 В ≥0.15 мА/В
КП101Д 5 В ≥0.4
КП101Е 5 В ≥0.3
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП101Г — ≤10; ≤0.4** пФ
КП101Д — ≤10; ≤0.4**
КП101Е — ≤10; ≤0.4**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП101Г — — Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП101Д — —
КП101Е — —
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП101Г 1 кГц ≤4 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП101Д 1 кГц ≤7
КП101Е 1 кГц ≤7
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП101Г — — нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП101Д — —
КП101Е — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.