Транзистор полевой КП303

Цоколевка транзистора КП303
Цоколевка транзистора КП303

 

Описание

Высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КП303Г — в зарядочувствительных
усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП303
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП303А 2N3823, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A,

2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1
КП303Б 2N5556, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A,

2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1
КП303В 2N5484R *1, CMPF5484 *1, ТР5668 *1, TP5668R *1, 2N5668 *1, BFW12 *2, 2N3465, 2N3466
КП303Г 2N3458 *2
КП303Д 2N3823, 2N5458R *1, BF256AR *3, ТР5362 *3, TP5362R *3, 2N5669 *1, 2N3069 *2
КП303Е MFE3006, 2N5459R *1, ТР3823 *1, TP3823R *1, ТР3824 *3, TP3824R *3, ТР4224 *1, TP4224R *1, ТР5248 *1
КП303Ж 2N3821, THJ4220 *1, ТР4220 *1, TP4220R *1, 2N3070 *2, 2N3070A *2, 2N3088, 2N3088A,

2N3089, 2N3089A, BF245A/0 *1
КП303И 2N3822, 2N5484R *1, CMPF5484 *1, ТР5668 *1, TP5668R *1, 2N5668 *1, BFW12 *2, 2N3465, 2N3466
Структура  — C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП303А — 200 мВт, (Вт*)
КП303Б — 200
КП303В — 200
КП303Г — 200
КП303Д — 200
КП303Е — 200
КП303Ж — 200
КП303И — 200
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП303А — 0.5…3 В
КП303Б — 0.5…3
КП303В — 1…4
КП303Г — ≤8
КП303Д — ≤8
КП303Е — ≤8
КП303Ж — 0.3…3
КП303И — 0.5…2
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП303А — 25; 30* В
КП303Б — 25; 30*
КП303В — 25; 30*
КП303Г — 25; 30*
КП303Д — 25; 30*
КП303Е — 25; 30*
КП303Ж — 25; 30*
КП303И — 25; 30*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП303А — 30 В
КП303Б — 30
КП303В — 30
КП303Г — 30
КП303Д — 30
КП303Е — 30
КП303Ж — 30
КП303И — 30
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП303А — 20 мА
КП303Б — 20
КП303В — 20
КП303Г — 20
КП303Д — 20
КП303Е — 20
КП303Ж — 20
КП303И — 20
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП303А — ≤2.5; 5* мА
КП303Б — ≤2.5; 5*
КП303В — ≤5; 5*
КП303Г — ≤12; 5*
КП303Д — ≤9; 5*
КП303Е — ≤20; 5*
КП303Ж — ≤3; 5*
КП303И — ≤5; 5*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП303А 10 В 1…4 мА/В
КП303Б 10 В 1…4
КП303В 10 В 2…5
КП303Г 10 В 3…7
КП303Д 10 В ≥2.6
КП303Е 10 В ≥4
КП303Ж 10 В 1…4
КП303И 10 В 2…6
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП303А — ≤6; ≤2* пФ
КП303Б — ≤6; ≤2*
КП303В — ≤6; ≤2*
КП303Г — ≤6; ≤2*
КП303Д — ≤6; ≤2*
КП303Е — ≤6; ≤2*
КП303Ж — ≤6; ≤2*
КП303И — ≤6; ≤2*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП303А — — Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП303Б — —
КП303В — —
КП303Г — —
КП303Д — —
КП303Е — —
КП303Ж — —
КП303И — —
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП303А 20 Гц ≤30** Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП303Б 1 кГц ≤20**
КП303В 1 кГц ≤20**
КП303Г 1 кГц ≤6·10-17***
КП303Д 100 МГц ≤4
КП303Е 100 МГц ≤4
КП303Ж 1 кГц ≤100**
КП303И 1 кГц ≤100**
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП303А — — нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП303Б — —
КП303В — —
КП303Г — —
КП303Д — —
КП303Е — —
КП303Ж — —
КП303И — —

 

Параметры транзистора КП303-9
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП303А9 — 200 мВт, (Вт*)
КП303Б9 — 200
КП303В9 — 200
КП303Г9 — 200
КП303Д9 — 200
КП303Е9 — 200
КП303Ж9 — 200
КП303И9 — 200
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП303А9 — 0.5…3 В
КП303Б9 — 0.5…3
КП303В9 — 1…4
КП303Г9 — ≤8
КП303Д9 — ≤8
КП303Е9 — ≤8
КП303Ж9 — 0.3…3
КП303И9 — 0.5…2
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП303А9 — 30* В
КП303Б9 — 30*
КП303В9 — 30*
КП303Г9 — 30*
КП303Д9 — 30*
КП303Е9 — 30*
КП303Ж9 — 30*
КП303И9 — 30*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП303А9 — 30 В
КП303Б9 — 30
КП303В9 — 30
КП303Г9 — 30
КП303Д9 — 30
КП303Е9 — 30
КП303Ж9 — 30
КП303И9 — 30
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП303А9 — — мА
КП303Б9 — —
КП303В9 — —
КП303Г9 — —
КП303Д9 — —
КП303Е9 — —
КП303Ж9 — —
КП303И9 — —
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП303А9 — 20 мА
КП303Б9 — 20
КП303В9 — 20
КП303Г9 — 20
КП303Д9 — 20
КП303Е9 — 20
КП303Ж9 — 20
КП303И9 — 20
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП303А9 10 В 1…4 мА/В
КП303Б9 10 В 1…4
КП303В9 10 В 2…5
КП303Г9 10 В 3…7
КП303Д9 10 В ≥2.6
КП303Е9 10 В ≥4
КП303Ж9 10 В 1…4
КП303И9 10 В 2…6
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП303А9 — ≤≤2* пФ
КП303Б9 — ≤2*
КП303В9 — ≤2*
КП303Г9 — ≤2*
КП303Д9 — ≤2*
КП303Е9 — ≤2*
КП303Ж9 — ≤2*
КП303И9 — ≤2*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП303А9 — — Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП303Б9 — —
КП303В9 — —
КП303Г9 — —
КП303Д9 — —
КП303Е9 — —
КП303Ж9 — —
КП303И9 — —
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП303А9 — — Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП303Б9 — —
КП303В9 — —
КП303Г9 — —
КП303Д9 — —
КП303Е9 — —
КП303Ж9 — —
КП303И9 — —
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП303А9 — ≤500; ≤100* нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП303Б9 — ≤500; ≤130*
КП303В9 — ≤500; ≤130*
КП303Г9 — —
КП303Д9 — —
КП303Е9 — —
КП303Ж9 — —
КП303И9 — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток
Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток

Зависимость крутизны характеристики от тока стока
Зависимость крутизны характеристики от тока стока

Зависимость активной составляющей выходной проводимости от тока стока
Зависимость активной составляющей выходной проводимости от тока стока

Зависимость активной составляющей выходной проводимости от напряжения сток-исток
Зависимость активной составляющей выходной проводимости от напряжения сток-исток

Зависимость ЭДС шума от частоты
Зависимость ЭДС шума от частоты

Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от сопротивления генератора
Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от сопротивления генератора

Зависимость коэффициента шума от сопротивления генератора
Зависимость коэффициента шума от сопротивления генератора

Зависимость входного и выходного сопротивлений от частоты
Зависимость входного и выходного сопротивлений от частоты
Зависимость начального тока стока, крутизны характеристики и сопротивления сток-исток в открытом состоянии от напряжения отсечки
Зависимость начального тока стока, крутизны характеристики и сопротивления сток-исток в открытом состоянии от напряжения отсечки

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.