Транзистор полевой КП306

Цоколевка транзистора КП306
Цоколевка транзистора КП306

 

Описание

Малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.

 

Параметры транзистора КП306
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП306А MFE3107, 3SK182 *3, 3SK40 *2, 3SK102 *1
КП306Б ТА7262, 3SK182 *3, 3SK40 *2, 3SK102 *1
КП306В 3SK182 *3, 3SK40 *2, 3SK102 *1
Структура  — C двумя изолированными затворами и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП306А — 150 мВт, (Вт*)
КП306Б — 150
КП306В — 150
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП306А — ≤4 В
КП306Б — ≤4
КП306В — ≤6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП306А — 20 В
КП306Б — 20
КП306В — 20
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП306А — 20 В
КП306Б — 20
КП306В — 20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП306А — 20 мА
КП306Б — 20
КП306В — 20
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП306А — ≤0.005 мА
КП306Б — ≤0.005
КП306В — ≤0.005
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП306А U32и = 10 В 4…9 мА/В
КП306Б U32и = 10 В 4…8
КП306В U32и = 10 В 4…8
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП306А — ≤5; ≤0.07* пФ
КП306Б — ≤5; ≤0.07*
КП306В — ≤5; ≤0.07*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП306А — — Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП306Б — —
КП306В — —
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП306А 200 МГц, U32и = 10 В ≤6 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП306Б 200 МГц ≤6
КП306В 200 МГц ≤6
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП306А — 800** нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП306Б — 800**
КП306В — 800**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.