
Описание
Малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП307А | 2N5394 | |||
| КП307Б | 2N4223, 2N4220 | ||||
| КП307В | 2N4224 | ||||
| КП307Г | MFE2001, 2N4216 | ||||
| КП307Д | MFE2002 | ||||
| Структура | — | C p-n переходом и n-каналом | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП307А | — | 250 | мВт, (Вт*) |
| КП307Б | — | 250 | |||
| КП307В | — | 250 | |||
| КП307Г | — | 250 | |||
| КП307Д | — | 250 | |||
| КП307Е | — | 250 | |||
| КП307Ж | — | 250 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП307А | — | 0.5…3 | В |
| КП307Б | — | 1…5 | |||
| КП307В | — | 1…5 | |||
| КП307Г | — | 1.5…6 |
|||
| КП307Д | — | 1.5…6 |
|||
| КП307Е | — | ≤2.5 | |||
| КП307Ж | — | ≤7 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП307А | — | 25; 27* | В |
| КП307Б | — | 25; 27* | |||
| КП307В | — | 25; 27* | |||
| КП307Г | — | 25; 27* | |||
| КП307Д | — | 25; 27* | |||
| КП307Е | — | 25; 27* | |||
| КП307Ж | — | 25; 27* | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП307А | — | 27 | В |
| КП307Б | — | 27 | |||
| КП307В | — | 27 | |||
| КП307Г | — | 27 | |||
| КП307Д | — | 27 | |||
| КП307Е | — | 27 | |||
| КП307Ж | — | 27 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП307А | — | 25 | мА |
| КП307Б | — | 25 | |||
| КП307В | — | 25 | |||
| КП307Г | — | 25 | |||
| КП307Д | — | 25 | |||
| КП307Е | — | 25 | |||
| КП307Ж | — | 25 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП307А | — | ≤9 | мА |
| КП307Б | — | ≤15 | |||
| КП307В | — | ≤15 | |||
| КП307Г | — | 24 | |||
| КП307Д | — | 8…24 | |||
| КП307Е | — | ≤5 | |||
| КП307Ж | — | ≤25 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А | 10 В | 4…9 | мА/В |
| КП307Б | 10 В | 5…10 | |||
| КП307В | 10 В | 5…10 | |||
| КП307Г | 10 В | 6…12 | |||
| КП307Д | 10 В | 6…12 | |||
| КП307Е | 10 В | 3…8 | |||
| КП307Ж | 10 В | 4…14 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП307А | — | ≤5; ≤1.5* | пФ |
| КП307Б | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| КП307В | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| КП307Г | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| КП307Д | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| КП307Е | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| КП307Ж | — | ≤5; ≤1.5* | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП307А | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП307Б | — | — | |||
| КП307В | — | — | |||
| КП307Г | — | — | |||
| КП307Д | — | — | |||
| КП307Е | — | — | |||
| КП307Ж | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП307А | 1 кГц | ≤20** | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП307Б | 100 кГц | ≤2.5** | |||
| КП307В | 100 кГц | ≤2.5** | |||
| КП307Г | 400 МГц | ≤6 | |||
| КП307Д | 400 МГц | ≤6 | |||
| КП307Е | 1 кГц | ≤20** | |||
| КП307Ж | — | ≤(4·10-17)*** | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП307Б | — | — | |||
| КП307В | — | — | |||
| КП307Г | — | — | |||
| КП307Д | — | — | |||
| КП307Е | — | — | |||
| КП307Ж | — | — |
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП307А1 | — | 250 | мВт, (Вт*) |
| КП307Б1 | — | 250 | |||
| КП307В1 | — | 250 | |||
| КП307Г1 | — | 250 | |||
| КП307Д1 | — | 250 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП307А1 | — | 0.5…3 | В |
| КП307Б1 | — | 1…5 | |||
| КП307В1 | — | 1.5…6 | |||
| КП307Г1 | — | ≤2.5 | |||
| КП307Д1 | — | ≤7 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП307А1 | — | 27* | В |
| КП307Б1 | — | 27* | |||
| КП307В1 | — | 27* | |||
| КП307Г1 | — | 27* | |||
| КП307Д1 | — | 27* | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП307А1 | — | 27 | В |
| КП307Б1 | — | 27 | |||
| КП307В1 | — | 27 | |||
| КП307Г1 | — | 27 | |||
| КП307Д1 | — | 27 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП307А1 | — | 25 | мА |
| КП307Б1 | — | 25 | |||
| КП307В1 | — | 25 | |||
| КП307Г1 | — | 25 | |||
| КП307Д1 | — | 25 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП307А1 | — | — | мА |
| КП307Б1 | — | — | |||
| КП307В1 | — | — | |||
| КП307Г1 | — | — | |||
| КП307Д1 | — | — | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А1 | 10 В | 4…9 | мА/В |
| КП307Б1 | 10 В | 5…10 | |||
| КП307В1 | 10 В | 6…12 | |||
| КП307Г1 | 10 В | 3…8 | |||
| КП307Д1 | 10 В | 4…14 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП307А1 | — | — | пФ |
| КП307Б1 | — | — | |||
| КП307В1 | — | — | |||
| КП307Г1 | — | — | |||
| КП307Д1 | — | — | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП307А1 | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП307Б1 | — | — | |||
| КП307В1 | — | — | |||
| КП307Г1 | — | — | |||
| КП307Д1 | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП307А1 | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП307Б1 | — | — | |||
| КП307В1 | — | — | |||
| КП307Г1 | — | — | |||
| КП307Д1 | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А1 | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП307Б1 | — | — | |||
| КП307В1 | — | — | |||
| КП307Г1 | — | — | |||
| КП307Д1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: