Транзистор полевой КП312

Цоколевка транзистора КП312
Цоколевка транзистора КП312

 

Описание

Малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды
— 60…+100°С.

 

Параметры транзистора КП312
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП312А SFE264, BF410C *1, BF410B *1, BF511 *1, 2SK242 *1
КП312Б 2SK11 *3, 2SK12 *3, 2SK15 *3, 2SK49 *3, 2SK92 *3, BF410 *1, КК3823 *3, 2N4302 *1, 2SK83 *1
Структура  — C p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП312А 100 мВт, (Вт*)
КП312Б 100
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП312А 2..8 В
КП312Б 0.8…6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП312А 20; 25* В
КП312Б 20; 25*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП312А 25 В
КП312Б 25
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП312А 25 мА
КП312Б 25
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП312А ≤25 мА
КП312Б ≤7
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП312А 15 В 4…5.8 мА/В
КП312Б 15 В 2…5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП312А ≤4; ≤1* пФ
КП312Б ≤4; ≤1*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП312А 400 МГц ≥2* Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП312Б 400 МГц ≥2*
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП312А 400 МГц ≤4 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП312Б 400 МГц ≤6
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП312А нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП312Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.