Описание
Кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательности и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КП327А | BF960, BF980, 3SK133 *3, 3SK186*3, 3SK137 *3, 3SK137V*3, 3SK103 *2, 3SK104*2, 3SK104V *2, BF981 *2 | |||
КП327Б | BF961, 3SK95 *2, 3SK132 *3, 3SK194 *3, BF980 *2 | ||||
КП327В | BF964, 3SK133 *3, 3SK186*3, 3SK137 *3, 3SK137V*3, 3SK103 *2, 3SK104*2, 3SK104V *2, BF981 *2 | ||||
КП327Г | BF966, 3SK95 *2, 3SK132 *3, 3SK194 *3, BF980 *2 | ||||
Структура | — | C двумя изолированными затворами о защитными диодами, с n-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП327А | — | 200 | мВт, (Вт*) |
КП327Б | — | 200 | |||
КП327В | — | 200 | |||
КП327Г | — | 200 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП327А | — | ≤2.7 | В |
КП327Б | — | ≤2.7 | |||
КП327В | — | — | |||
КП327Г | — | — |
|||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП327А | — | 18 | В |
КП327Б | — | 18 | |||
КП327В | — | 14; 16* | |||
КП327Г | — | 14; 16* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП327А | — | 6 | В |
КП327Б | — | 6 | |||
КП327В | — | 5 | |||
КП327Г | — | 5 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП327А | — | 30 | мА |
КП327Б | — | 30 | |||
КП327В | — | 30 | |||
КП327Г | — | 30 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП327А | — | ≤10 | мА |
КП327Б | — | ≤10 | |||
КП327В | — | ≤17 | |||
КП327Г | — | ≤17 | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП327А | 10 В; 10 мА | ≥11 | мА/В |
КП327Б | 10 В; 10 мА | ≥11 | |||
КП327В | 10 В; 10 мА | ≥9.5 | |||
КП327Г | 10 В; 10 мА | ≥9.5 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП327А | — | ≤2.5 | пФ |
КП327Б | — | ≤2.5 | |||
КП327В | — | ≤2.5; ≤1.6* | |||
КП327Г | — | ≤3.6; ≤3* | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП327А | 0.8 ГГц | ≥12* | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП327Б | 0.2 ГГц | ≥18* | |||
КП327В | 0.8 ГГц | ≥12* | |||
КП327Г | 0.2 ГГц | ≥18* | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП327А | 0.8 ГГц | ≤4.5 | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП327Б | 100 кГц | ≤3 | |||
КП327В | 0.8 ГГц | ≤4.5 | |||
КП327Г | 0.2 ГГц | ≤3 | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП327А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП327Б | — | — | |||
КП327В | — | — | |||
КП327Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: