
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КП364А | MPF109N *2, КК3819 *2, TIS58, MPF103, MMBF5457 *1 | |||
КП364Б | MPF109N *2, КК3819 *2, TIS58, MPF103, MMBF5457 *1 | ||||
КП364В | 2N5668, MMBF5457LT1 *1, 2N5484R *1, BFR31 *1, BFR31R *1, CMPF5484 *1, ТР5658 *1, TP5658R *1, ECG457 *2, J305 *3, PMBF5484 *1 | ||||
КП364Г | 2N5669, 2N5485 *2, КК4223, TP4223 *3, TP4223R *3, BF556B *3, PN4416 *2, BF245B *2 | ||||
КП364Д | ТР5103 *2, 2N5458R *1, BF256AR *1 | ||||
КП364Е | 2N5486 *2, 2N5670, ТР3823 *1, TP3823R *1, ТР3824 *1, TP3824R *1, ТР4223 *1, TP4223R *1, ТР5248 *1 | ||||
КП364Ж | MPF109N *2, КК3819 *2, TIS58, MPF103, MMBF5457 *1 | ||||
КП364И | 2N5668, MMBF5457LT1 *1, 2N5484R *1, BFR31 *1, BFR31R *1, CMPF5484 *1, ТР5658 *1, TP5658R *1, ECG457 *2, J305 *3, PMBF5484 *1 | ||||
Структура | C p-n переходом и n-каналом | ||||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП364А | — | 200 | мВт, (Вт*) |
КП364Б | — | 200 | |||
КП364В | — | 200 | |||
КП364Г | — | 200 | |||
КП364Д | — | 200 | |||
КП364Е | — | 200 | |||
КП364Ж | — | 200 | |||
КП364И | — | 200 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП364А | — | 0.5…3 | В |
КП364Б | — | 0.5…3 | |||
КП364В | — | 1…4 | |||
КП364Г | — | ≤8 | |||
КП364Д | — | ≤8 | |||
КП364Е | — | ≤8 | |||
КП364Ж | — | 0.3…3 | |||
КП364И | — | 0.5…2 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП364А | — | 25; 30* | В |
КП364Б | — | 25; 30* | |||
КП364В | — | 25; 30* | |||
КП364Г | — | 25; 30* | |||
КП364Д | — | 25; 30* | |||
КП364Е | — | 25; 30* | |||
КП364Ж | — | 25; 30* | |||
КП364И | — | 25; 30* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП364А | — | 30 | В |
КП364Б | — | 30 | |||
КП364В | — | 30 | |||
КП364Г | — | 30 | |||
КП364Д | — | 30 | |||
КП364Е | — | 30 | |||
КП364Ж | — | 30 | |||
КП364И | — | 30 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП364А | — | 20 | мА |
КП364Б | — | 20 | |||
КП364В | — | 20 | |||
КП364Г | — | 20 | |||
КП364Д | — | 20 | |||
КП364Е | — | 20 | |||
КП364Ж | — | 20 | |||
КП364И | — | 20 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП364А | — | 0.5…2.5 | мА |
КП364Б | — | 0.5…2.5 | |||
КП364В | — | 1.5…5 | |||
КП364Г | — | 3…12 | |||
КП364Д | — | 3…9 | |||
КП364Е | — | 5…20 | |||
КП364Ж | — | 0.3…3 | |||
КП364И | — | 1.5…5 | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП364А | 10 В | 1…4 | мА/В |
КП364Б | 10 В | 1…4 | |||
КП364В | 10 В | 2…5 | |||
КП364Г | 10 В | 3…7 | |||
КП364Д | 10 В | ≥2.6 | |||
КП364Е | 10 В | ≥4 | |||
КП364Ж | 10 В | 1…4 | |||
КП364И | 10 В | 2…6 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП364А | — | ≤6; ≤2 | пФ |
КП364Б | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364В | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364Г | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364Д | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364Е | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364Ж | — | ≤6; ≤2 | |||
КП364И | — | ≤6; ≤2 | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП364А | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП364Б | — | — | |||
КП364В | — | — | |||
КП364Г | — | — | |||
КП364Д | — | — | |||
КП364Е | — | — | |||
КП364Ж | — | — | |||
КП364И | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП364А | 20 Гц | ≤30** | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП364Б | 1 кГц | ≤20** | |||
КП364В | 1 кГц | ≤20** | |||
КП364Г | — | — | |||
КП364Д | 100 МГц | ≤4 | |||
КП364Е | 100 МГц | ≤4 | |||
КП364Ж | 1 кГц | ≤100** | |||
КП364И | 1 кГц | ≤100** | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП364А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП364Б | — | — | |||
КП364В | — | — | |||
КП364Г | — | — | |||
КП364Д | — | — | |||
КП364Е | — | — | |||
КП364Ж | — | — | |||
КП364И | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: