| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП505А | BSS295 | |||
| КП505Б | BSS295 | ||||
| КП505В | VN2206N3 | ||||
| КП505Г | SFNS061 *1 | ||||
| Структура | С изолированным затвором и n-каналом | ||||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП505А | — | 1000 | мВт, (Вт*) |
| КП505Б | — | 1000 | |||
| КП505В | — | 1000 | |||
| КП505Г | — | 700 | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП505А | — | 0.8…2* | В |
| КП505Б | — | 0.8…2* | |||
| КП505В | — | 0.8…2* | |||
| КП505Г | — | 0.4…0.8* | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП505А | — | 50 | В |
| КП505Б | — | 50 | |||
| КП505В | — | 60 | |||
| КП505Г | — | 8 | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП505А | — | ±10 | В |
| КП505Б | — | ±10 | |||
| КП505В | — | ±10 | |||
| КП505Г | — | ±10 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП505А | — | 1400 | мА |
| КП505Б | — | 1400 | |||
| КП505В | — | 1400 | |||
| КП505Г | — | 500 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП505А | — | 1 | мкА |
| КП505Б | — | 1 | |||
| КП505В | — | 1 | |||
| КП505Г | — | 1 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП505А | — | ≥500 | мА/В |
| КП505Б | — | ≥500 | |||
| КП505В | — | ≥500 | |||
| КП505Г | — | ≥500 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП505А | — | — | пФ |
| КП505Б | — | — | |||
| КП505В | — | — | |||
| КП505Г | — | — | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП505А | — | 0.3 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП505Б | — | 0.3 | |||
| КП505В | — | 0.3 | |||
| КП505Г | — | 1.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП505А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП505Б | — | — | |||
| КП505В | — | — | |||
| КП505Г | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП505А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП505Б | — | — | |||
| КП505В | — | — | |||
| КП505Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: