Транзистор полевой КП601

Цоколевка транзистора КП601
Цоколевка транзистора КП601

 

Описание

Сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП601
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП601А СР643, 2N4447 *2, 2N4448 *2, U202, MFE2012 *2
КП601Б СР651, 2N4447 *2, 2N4448 *2, U202, MFE2012 *2
Структура С p-n переходом и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП601А — 500; 2* мВт, (Вт*)
КП601Б — 500; 2*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП601А — 4…9 В
КП601Б — 6…12
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП601А — 20; 20* В
КП601Б — 20; 20*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП601А — 15 В
КП601Б — 15
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП601А — — мА
КП601Б — —
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП601А — ≤400 мА
КП601Б — ≤400
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП601А 10 В 40…87 мА/В
КП601Б 10 В 40…87
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП601А — ≤6* пФ
КП601Б — ≤6*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП601А — — Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП601Б — —
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП601А 400 МГц ≤6 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП601Б 400 МГц ≤6
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП601А — — нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП601Б — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.