Транзистор полевой КП709

Цоколевка транзисторов КП708, КП709, КП710
Цоколевка транзисторов КП708, КП709, КП710

 

Описание

Мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления
электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+100 °С.

 

Параметры транзистора КП709
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП709А SNF30616 *1, SML601R6GN *1, NSFY30616 *1, APT601R6GN *1, 2SK1809, 2SK1404, 2SK807 *1, STP6NA60FI *1, 2SK2563 *2
КП709Б BUZ90A, PHP3N60, STP4NA60,

BUZ90, IRFBC30, MTP3N60E *2
КП709В BUZ90, BUK455-600B, FS4UM12, SSP4N60A, 

SSH4N60A *1, 2SK2025-01, 2SK1402, 2SK2003-01MR, 

STM3N60/220, BUZ93, BUZ90A,

2SK1767 *1, MTP3N60
КП709Г BUZ44A *1, YTF830, SFN430 *1, IRF830R, IRF830, BUZ41A, 

NTE2398, OM6104ST, OM6004ST, 

SMD1001, STM4N50/220, MTP4N50E
КП709Д YTF832, STM832, STM432 *1, SFN432 *1, IRFP432 *1, IRF832R, IRF832, 

IRF432R *1, IRF432 *1, BUZ42, SMD1003
Структура С изолированным затвором и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП709А — 75* мВт, (Вт*)
КП709Б — 75*
КП709В — 75*
КП709Г — 75*
КП709Д — 75*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП709А — 2…4 В
КП709Б — 2…4
КП709В — 2…5
КП709Г — 2…5
КП709Д — 2…5
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП709А — 600 В
КП709Б — 600
КП709В — 600
КП709Г — 500
КП709Д — 500
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП709А — ±20 В
КП709Б — ±20
КП709В — ±20
КП709Г — ±20
КП709Д — ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП709А — 4.5; 18* А
КП709Б — 4.5; 14*
КП709В — 3.5; 16*
КП709Г — 4.5; 18*
КП709Д — 4; 14*
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП709А — ≤0.5 мА
КП709Б — ≤0.5
КП709В 20 В ≤0.25
КП709Г 20 В ≤0.25
КП709Д 20 В ≤0.25
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП709А 25 В; 2 А ≥2000 мА/В
КП709Б 25 В; 2 А ≥2000
КП709В 25 В; 2.5 А 1500
КП709Г 25 В; 2.5 А 1500
КП709Д 25 В; 2.5 А 1500
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП709А 25 В ≤650; ≤70* пФ
КП709Б 25 В ≤650; ≤70*
КП709В 25 В ≤950
КП709Г 25 В ≤950
КП709Д 25 В ≤950
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП709А — ≤4.6 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП709Б — ≤2
КП709В — ≤2.5
КП709Г — ≤1.5
КП709Д — ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП709А — — Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП709Б — —
КП709В — —
КП709Г — —
КП709Д — —
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП709А — ≤50 нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП709Б — ≤50
КП709В — ≤30; 150*
КП709Г — ≤30; 150*
КП709Д — ≤30; 150*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.