Описание
Мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы (СИТ) с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные ламповому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью, крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП801А | BF960, 2SK60 | |||
| КП801Б | 2SK76A | ||||
| КП801В | 2SKI34 | ||||
| КП801Г | 2SKI33 | ||||
| Структура | КП801А | С p-n переходом и n-каналом | |||
| КП801Б | |||||
| КП801В | |||||
| КП801Г | |||||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП801А | — | 60* | мВт, (Вт*) |
| КП801Б | — | 60* | |||
| КП801В | — | 100* | |||
| КП801Г | — | 100* | |||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП801А | — | -30 | В |
| КП801Б | — | -30 | |||
| КП801В | — | -30 | |||
| КП801Г | — | -30 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП801А | — | 75; 110* | В |
| КП801Б | — | 75; 90* | |||
| КП801В | — | 110; 150* | |||
| КП801Г | — | 140; 180* | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП801А | — | -35 | В |
| КП801Б | — | -35 | |||
| КП801В | — | -40 | |||
| КП801Г | — | -40 | |||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП801А | — | 5 | А |
| КП801Б | — | 5 | |||
| КП801В | — | 8 | |||
| КП801Г | — | 8 | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП801А | — | 4500 | мА |
| КП801Б | — | 4500 | |||
| КП801В | — | 3500 | |||
| КП801Г | — | 3000 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП801А | 15 В; 4 А | ≥600 | мА/В |
| КП801Б | 15 В; 3 А | ≥450 | |||
| КП801В | 20 В; 4 А | ≥800 | |||
| КП801Г | 20 В; 4 А | ≥600 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП801А | — | — |
пФ |
| КП801Б | — | — | |||
| КП801В | — | — | |||
| КП801Г | — | — | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП801А | — | ≤2.2 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП801Б | — | ≤4.4 | |||
| КП801В | — | ≤2.2 | |||
| КП801Г | — | ≤2.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП801А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП801Б | — | — | |||
| КП801В | — | — | |||
| КП801Г | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП801А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП801Б | — | — | |||
| КП801В | — | — | |||
| КП801Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: