Транзистор полевой КП901

Цоколевка транзистора КП901
Цоколевка транзистора КП901

 

Описание

Мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.

 

Параметры транзистора КП901
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КП901А VMP1, BLF522 *3, MRF134 *3
КП901Б VN89AD, BLF522 *3, MRF134 *3
Структура КП901А С изолированным затвором и индуцированным n-каналом
КП901Б
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП901А — 20* мВт, (Вт*)
КП901Б — 20*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).  UЗИ отс, U*ЗИ пор КП901А — — В
КП901Б — —
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП901А — 70; 85* В
КП901Б — 70; 85*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП901А — 30 В
КП901Б — 30
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП901А — 4 А
КП901Б — 4
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП901А — ≤200; ≤50* мА
КП901Б — ≤200; ≤50*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП901А 20 В; 0.5 А 50…160 мА/В
КП901Б 20 В; 0.5 А 60…170
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП901А — ≤100; ≤10* пФ
КП901Б — ≤10*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		 RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП901А 100 МГц ≥7*; ≥10** Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП901Б 100 МГц ≥6.7**
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП901А — — Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП901Б — —
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП901А — — нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП901Б — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.