Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ201А | 2N2432, 2N1006 | |||
КТ201АМ | 2N3565 | ||||
КТ201Б | 2N2432A, 2N1006 | ||||
КТ201БМ | MPS9601 | ||||
КТ201В | 2N1590, 2N1589 *1, 2N1586*3 | ||||
КТ201ВМ | MPS9600, 2N1589 *1, 2N1586*3 | ||||
КТ201Г | 2N2617, 2N1592*1 | ||||
КТ201ГМ | 2N2932, 2N1592*1 | ||||
КТ201Д | 2N2617, 2N1589 *1, 2N1586*3 | ||||
КТ201ДМ | 2N2933, 2N1589 *1, 2N1586*3 | ||||
Структура | — | n-p-n | мВт | ||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ201А(М) | 90 ºС | 150 | |
КТ201Б(М) | — | 150 | |||
КТ201В(М) | — | 150 | |||
КТ201Г(М) | — | 150 | |||
КТ201Д(М) | — | 150 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ201А(М) | — | ≥10 | МГц |
КТ201Б(М) | — | ≥10 | |||
КТ201В(М) | — | ≥10 | |||
КТ201Г(М) | — | ≥10 | |||
КТ201Д(М) | — | ≥10 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ201А(М) | 0.05к | 20 | В |
КТ201Б(М) | 0.05к | 20 | |||
КТ201В(М) | 0.05к | 10 | |||
КТ201Г(М) | 0.05к | 10 | |||
КТ201Д(М) | 0.05к | 10 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ201А(М) | — | 20 | В |
КТ201Б(М) | — | 20 | |||
КТ201В(М) | — | 10 | |||
КТ201Г(М) | — | 10 | |||
КТ201Д(М) | — | 10 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ201А(М) | — | 20(100*) | мА |
КТ201Б(М) | — | 20(100*) | |||
КТ201В(М) | — | 20(100*) | |||
КТ201Г(М) | — | 20(100*) | |||
КТ201Д(М) | — | 20(100*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ201А(М) | 20 В | ≤1 | мкА |
КТ201Б(М) | 20 В | ≤1 | |||
КТ201В(М) | 20 В | ≤1 | |||
КТ201Г(М) | 20 В | ≤1 | |||
КТ201Д(М) | 20 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ201А(М) | (1 В; 5 мА) | 20…60 | |
КТ201Б(М) | (1 В; 5 мА) | 30…90 | |||
КТ201В(М) | (1 В; 5 мА) | 30…90 | |||
КТ201Г(М) | (1 В; 5 мА) | 70…210 | |||
КТ201Д(М) | (1 В; 5 мА) | 30…90 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ201А(М) | — | ≤20 | пФ |
КТ201Б(М) | — | ≤20 | |||
КТ201В(М) | — | ≤20 | |||
КТ201Г(М) | — | ≤20 | |||
КТ201Д(М) | — | ≤20 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ201А(М) | — | — | Ом |
КТ201Б(М) | — | — | |||
КТ201В(М) | — | — | |||
КТ201Г(М) | — | — | |||
КТ201Д(М) | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | КТ201А(М) | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ201Б(М) | — | — | |||
КТ201В(М) | — | — | |||
КТ201Г(М) | — | — | |||
КТ201Д(М) | 1 кГц | ≤15 | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ201А(М) | — | — | пс |
КТ201Б(М) | — | — | |||
КТ201В(М) | — | — | |||
КТ201Г(М) | — | — | |||
КТ201Д(М) | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.