| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ215А-1 | 2N3877A *1, 2N1923 *3, 2N755 *1 | |||
| КТ215Б-1 | 2N3877A *1 | ||||
| КТ215В-1 | 2S742 *3, 2S745 *1,
2N3877 *1, 2N1565 *1, 2N1564 *3, 2N735 *1 |
||||
| КТ215Г-1 | 2N844 *1, 2N754 *3, 2N334B *3, 2N335B *3, 2N839 *3, 2N840 *1, 2N842 *3, 40246 *3, 40243 *1, 2N334A *1, 2N333A *3, 2N1594 *3, CK419 *3, 2N2529 *3, 2N2530 *3, 2N2531 *3, 2N2533 *3, CK422 *3, 2N620 *3, СК420 *3, 2N1103 *3, 2N337A *3, 2N621 *3, 2N907 *3, 2N264 *3, TIS108 *3, D4C29 *3, D4C28 *3, 4C29 *3, 4C28 *3, 2SC562 *3 | ||||
| КТ215Д-1 | 2N1593 *3 | ||||
| КТ215Е-1 | |||||
| Структура | — | n-p-n | мВт | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ215А-1 | — | 50 | |
| КТ215Б-1 | — | 50 | |||
| КТ215В-1 | — | 50 | |||
| КТ215Г-1 | — | 50 | |||
| КТ215Д-1 | — | 50 | |||
| КТ215Е-1 | — | 50 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ215А-1 | — | ≥5 | МГц |
| КТ215Б-1 | — | ≥5 | |||
| КТ215В-1 | — | ≥5 | |||
| КТ215Г-1 | — | ≥5 | |||
| КТ215Д-1 | — | ≥5 | |||
| КТ215Е-1 | — | ≥5 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ215А-1 | — | 80** | В |
| КТ215Б-1 | — | 80** | |||
| КТ215В-1 | — | 60** | |||
| КТ215Г-1 | — | 40** | |||
| КТ215Д-1 | — | 30** | |||
| КТ215Е-1 | — | 20** | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ215А-1 | — | 5 | В |
| КТ215Б-1 | — | 5 | |||
| КТ215В-1 | — | 5 | |||
| КТ215Г-1 | — | 5 | |||
| КТ215Д-1 | — | 5 | |||
| КТ215Е-1 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ215А-1 | — | 50(100*) | мА |
| КТ215Б-1 | — | 50(100*) | |||
| КТ215В-1 | — | 50(100*) | |||
| КТ215Г-1 | — | 50(100*) | |||
| КТ215Д-1 | — | 50(100*) | |||
| КТ215Е-1 | — | 50(100*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ215А-1 | 30 В | ≤100* | мкА |
| КТ215Б-1 | 30 В | ≤100* | |||
| КТ215В-1 | 30 В | ≤100* | |||
| КТ215Г-1 | 30 В | ≤100* | |||
| КТ215Д-1 | 30 В | ≤100* | |||
| КТ215Е-1 | 30 В | ≤100* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ215А-1 | (5 В; 10 мА) | ≥20 | |
| КТ215Б-1 | (5 В; 10 мА) | 30…90 | |||
| КТ215В-1 | (5 В; 10 мА) | 40…120 | |||
| КТ215Г-1 | (5 В; 10 мА) | 40…120 | |||
| КТ215Д-1 | (1 В; 40 мА) | ≥80 | |||
| КТ215Е-1 | (1 В; 40 мкА) | ≥40 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ215А-1 | 10 В | ≤50 | пФ |
| КТ215Б-1 | 10 В | ≤50 | |||
| КТ215В-1 | 10 В | ≤50 | |||
| КТ215Г-1 | 10 В | ≤50 | |||
| КТ215Д-1 | 10 В | ≤50 | |||
| КТ215Е-1 | 10 В | ≤50 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ215А-1 | — | ≤60 | Ом |
| КТ215Б-1 | — | ≤60 | |||
| КТ215В-1 | — | ≤60 | |||
| КТ215Г-1 | — | ≤60 | |||
| КТ215Д-1 | — | ≤60 | |||
| КТ215Е-1 | — | ≤60 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | КТ215А-1 | — | ≥1200* | Дб, Ом, Вт |
| КТ215Б-1 | — | ≥1200* | |||
| КТ215В-1 | — | ≥1200* | |||
| КТ215Г-1 | — | ≥1200* | |||
| КТ215Д-1 | — | ≥1200* | |||
| КТ215Е-1 | — | ≥1200* | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ215А-1 | — | — | пс |
| КТ215Б-1 | — | — | |||
| КТ215В-1 | — | — | |||
| КТ215Г-1 | — | — | |||
| КТ215Д-1 | — | — | |||
| КТ215Е-1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.