|
|
|
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ306А | BSX66, 2N3493 | |||
| КТ306Б | 2SC601, 2N3681 | ||||
| КТ306В | 2SC400, 2N3493 | ||||
| КТ306Г | BSX67 | ||||
| КТ306Д | BSX67 | ||||
| КТ306АМ | MPS2713, 2N3985 | ||||
| КТ306БМ | MPS2713, 2SC3544M | ||||
| КТ306ВМ | MPS834, 2N3985 | ||||
| КТ306ГМ | MPS2714, 2SC3544M | ||||
| КТ306ДМ | MPS834, PN5127 | ||||
| Структура | — | n-p-n | мВт | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ306А(М) | 90 °C | 150 | |
| КТ306Б(М) | 90 °C | 150 | |||
| КТ306В(М) | 90 °C | 150 | |||
| КТ306Г(М) | 90 °C | 150 | |||
| КТ306Д(М) | 90 °C | 150 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ306А(М) | — | ≥300 | МГц |
| КТ306Б(М) | — | ≥500 | |||
| КТ306В(М) | — | ≥300 | |||
| КТ306Г(М) | — | ≥500 | |||
| КТ306Д(М) | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ306А(М) | — | 15 | В |
| КТ306Б(М) | — | 15 | |||
| КТ306В(М) | — | 15 | |||
| КТ306Г(М) | — | 15 | |||
| КТ306Д(М) | — | 15 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ306А(М) | — | 4 | В |
| КТ306Б(М) | — | 4 | |||
| КТ306В(М) | — | 4 | |||
| КТ306Г(М) | — | 4 | |||
| КТ306Д(М) | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ306А(М) | — | 30(50*) | мА |
| КТ306Б(М) | — | 30(50*) | |||
| КТ306В(М) | — | 30(50*) | |||
| КТ306Г(М) | — | 30(50*) | |||
| КТ306Д(М) | — | 30(50*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ306А(М) | 15 В | ≤0.5 | мкА |
| КТ306Б(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| КТ306В(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| КТ306Г(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| КТ306Д(М) | 15 В | ≤0.5 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ306А(М) | (1 В; 10 мА) | 20…60* | |
| КТ306Б(М) | (5 В; 10 мА) | 40…120* | |||
| КТ306В(М) | (1 В; 10 мА) | 20…100* | |||
| КТ306Г(М) | (1 В; 10 мА) | 40…200* | |||
| КТ306Д(М) | (1 В; 10 мА) | 30…150* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ306А(М) | 5 В | ≤5 | пФ |
| КТ306Б(М) | 5 В | ≤5 | |||
| КТ306В(М) | 5 В | ≤5 | |||
| КТ306Г(М) | 5 В | ≤5 | |||
| КТ306Д(М) | 5 В | ≤5 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ306А(М) | — | ≤30 | Ом |
| КТ306Б(М) | — | ≤30 | |||
| КТ306В(М) | — | — | |||
| КТ306Г(М) | — | — | |||
| КТ306Д(М) | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | КТ306А(М) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ306Б(М) | — | — | |||
| КТ306В(М) | — | ≤30* | |||
| КТ306Г(М) | — | ≤30* | |||
| КТ306Д(М) | — | ≤30* | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ306А(М) | — | ≤30* | пс |
| КТ306Б(М) | — | ≤30* | |||
| КТ306В(М) | — | ≤500 | |||
| КТ306Г(М) | — | ≤500 | |||
| КТ306Д(М) | — | ≤300 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.