Транзистор КТ3102

Цоколевка транзисторов КТ3102 (слева) и КТ3102М, КТ3102-2 (справа)
Цоколевка транзисторов КТ3102 (слева) и КТ3102М, КТ3102-2 (справа)

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n решительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты, являются комплементарными транзисторами КТ3107А — КТ3107Л. Выпускаются в металлостеклянном или пластиковом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.

 

Параметры транзисторов КТ3102 и  КТ3102М
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3102А BF291, 2SC302, BCY56, 

BC407 *1 , BCW31R *1, 

40637 *1
КТ3102Б BCW72R *1, BCW32R *1
КТ3102В 2SC105, SE4022 *3, 

BFY18 *2, BFY17 *2, 

BSX76, 2SC55, ВС408 *1, 

ВС409 *1, 2SC238, 

2SC1216 *2
КТ3102Г
КТ3102Д 2SC105, SE4022 *3, 

BFY18 *2, BFY17 *2, BSX76, 2

SC55, ВС408 *1, ВС409 *1, 

2SC238, 2SC1216 *2
КТ3102Е
КТ3102Ж
КТ3102И
КТ3102К
КТ3102А(М) ВС107АР, BC3I7 (ВС 182А), 

ВС317А, ТВС547, 

NTE2369, JC547, BCW71 *1, 

2SC382TM *2, ECG2418, 

2SC3653,  2SC945L, 2SC3654, 

ВС550,2SC3655, ECG2359, 

2SC3656, ВС549А
КТ3102Б(М) ВС107ВР, ВСЗ18 (ВС 182В), 

2SC945P, 2SC945Q,

 ТВС547А, JC547A, 

BCW72R *1, ВС317В, 

ВС317, ВС550В, ВС560 *2, 

ВС414, ВС414В 
КТ3102В(М) ВС108АР, 2SC1815 (ВС183В),

 ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 

2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548,

 JC548A, ITT9014CU, 

ITT9014C, 2SC388A-TM *2,

 2SC1359, ВС409
КТ3102Г(М) ВС108СР (BCY57)
КТ3102Д(М) ВС184А, 2N2484 (ВС452, ВС547А), 

 ВС123 *2, ВС549В, BF254-4, 

2SC4922GA *1, ТВС548А, ТВС548, 

JC548A, ITT9014CU, ITT9014C, 

2SC388A-TM *2, 2SC1359, ВС409
КТ3102Е(М) ВС109СР, ВС547В (ВС538, ВС548В)
КТ3102Ж(М) 2N4123 (ВС183А, ВС549С)
КТ3102И(М) BCY65 (2N4123)
КТ3102К(М) ВС452 (2N4124, ВС548В)
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max — — 250 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3102А(М) — ≥150 МГц
КТ3102Б(М) — ≥150
КТ3102В(М) — ≥150
КТ3102Г(М) — ≥300
КТ3102Д(М) — ≥150
КТ3102Е(М) — ≥300
КТ3102Ж(М) — ≥200
КТ3102И(М) — ≥200
КТ3102К(М) ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3102А(М) — 50 В
КТ3102Б(М) — 50
КТ3102В(М) — 50(30)
КТ3102Г(М) — 20
КТ3102Д(М) — 30(50)
КТ3102Е(М) — 20
КТ3102Ж(М) — 50
КТ3102И(М) — 50
КТ3102К(М) — 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3102А(М)  — 5 В
КТ3102Б(М) — 5
КТ3102В(М) — 5
КТ3102Г(М) — 5
КТ3102Д(М) — 5
КТ3102Е(М) — 5
КТ3102Ж(М) — 5
КТ3102И(М) — 5
КТ3102К(М) — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3102А(М) — 100(200*) мА
КТ3102Б(М) — 100(200*)
КТ3102В(М) — 100(200*)
КТ3102Г(М) — 100(200*)
КТ3102Д(М) — 100(200*)
КТ3102Е(М) — 100(200*)
КТ3102Ж(М) — 100(200*)
КТ3102И(М) — 100(200*)
КТ3102К(М) — 100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3102А(М) 50 В ≤0.05 мкА
КТ3102Б(М) 50 В ≤0.05
КТ3102В(М) 30 В ≤0.015
КТ3102Г(М) 20(30) В ≤0.015
КТ3102Д(М) 30 В ≤0.015
КТ3102Е(М) 20(30) В ≤0.015
КТ3102Ж(М) 50 В ≤0.05
КТ3102И(М) 50 В ≤0.05
КТ3102К(М) 30 В ≤0.015
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3102А (М) 5 В; 2 мА 100…200
КТ3102Б(М) 5 В; 1(2) мА 200…500
КТ3102В(М) 5 В; 2 мА 200…500
КТ3102Г(М) 5 В; 2 мА 400…1000
КТ3102Д(М) 5 В; 2 мА 200…500
КТ3102Е(М) 5 В; 2 мА 400…1000
КТ3102Ж(М) 5 В; 2 мА 100…250
КТ3102И(М) 5 В; 2 мА 200…500
КТ3102К(М) 5 В; 2 мА 200…500
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3102А(М) 5 В ≤6 пФ
КТ3102Б(М) 5 В ≤6
КТ3102В(М) 5 В ≤6
КТ3102Г(М) 5 В ≤6
КТ3102Д(М) 5 В ≤6
КТ3102Е(М) 5 В ≤6
КТ3102Ж(М) 5 В ≤6
КТ3102И(М) 5 В ≤6
КТ3102К(М) 5 В ≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ3102А(М) — — Ом
КТ3102Б(М) — —
КТ3102В(М) — —
КТ3102Г(М) — —
КТ3102Д(М) — —
КТ3102Е(М) — —
КТ3102Ж(М) — —
КТ3102И(М) — —
КТ3102К(М) — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ3102А(М) 1 кГц ≤10 Дб, Ом, Вт
КТ3102Б(М) 1 кГц ≤10
КТ3102В(М) 1 кГц ≤10
КТ3102Г(М) 1 кГц ≤10
КТ3102Д(М) 1 кГц ≤4
КТ3102Е(М) 1 кГц ≤4
КТ3102Ж(М) — —
КТ3102И(М) — —
КТ3102К(М) — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3102А(М) — ≤100 пс
КТ3102Б(М) — ≤100
КТ3102В(М) — ≤100
КТ3102Г(М) — ≤100
КТ3102Д(М) — ≤100
КТ3102Е(М) — ≤100
КТ3102Ж(М) — ≤100
КТ3102И(М) — ≤100
КТ3102К(М) — ≤100

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональна замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональна замена, тип корпуса отличается.

 

Входные характеристики
Входные характеристики

Зависимость напряжения насыщения от коэффициента насыщения
Зависимость напряжения насыщения от коэффициента насыщения

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

 

Параметры транзистора  КТ3102-2
Параметр Обозначение Условия Значение Ед. изм.
Структура Маркировка  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max — — 250 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3102А2 — ≥200 МГц
КТ3102Б2 — ≥200
КТ3102В2 — ≥200
КТ3102Г2 — ≥200
КТ3102Д2 — ≥200
КТ3102Е2 — ≥300
КТ3102Ж2 — ≥200
КТ3102И2 — ≥200
КТ3102К2 ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3102А2 — 50 В
КТ3102Б2 — 50
КТ3102В2 — 30
КТ3102Г2 — 20
КТ3102Д2 — 30
КТ3102Е2 — 20
КТ3102Ж2 — 50
КТ3102И2 — 50
КТ3102К2 — 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3102А2  — 5 В
КТ3102Б2 — 5
КТ3102В2 — 5
КТ3102Г2 — 5
КТ3102Д2 — 5
КТ3102Е2 — 5
КТ3102Ж2 — 5
КТ3102И2 — 5
КТ3102К2 — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3102А2 — 200 мА
КТ3102Б2 — 200
КТ3102В2 — 200
КТ3102Г2 — 200
КТ3102Д2 — 200
КТ3102Е2 — 200
КТ3102Ж2 — 200
КТ3102И2 — 200
КТ3102К2 — 200
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3102А2 — — мкА
КТ3102Б2 — —
КТ3102В2 — —
КТ3102Г2 — —
КТ3102Д2 — —
КТ3102Е2 — —
КТ3102Ж2 — —
КТ3102И2 — —
КТ3102К2 — —
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3102А2 — 100…200
КТ3102Б2 — 200…500
КТ3102В2 — 200…500
КТ3102Г2 — 400…500
КТ3102Д2 — 200…500
КТ3102Е2 — 400…1000
КТ3102Ж2 — 100…250
КТ3102И2 — 200…500
КТ3102К2 — 200…500
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3102А2 — — пФ
КТ3102Б2 — —
КТ3102В2 — —
КТ3102Г2 — —
КТ3102Д2 — —
КТ3102Е2 — —
КТ3102Ж2 — —
КТ3102И2 — —
КТ3102К2 — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ3102А2 — — Ом
КТ3102Б2 — —
КТ3102В2 — —
КТ3102Г2 — —
КТ3102Д2 — —
КТ3102Е2 — —
КТ3102Ж2 — —
КТ3102И2 — —
КТ3102К2 — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ3102А2 — — Дб, Ом, Вт
КТ3102Б2 — —
КТ3102В2 — —
КТ3102Г2 — —
КТ3102Д2 — —
КТ3102Е2 — —
КТ3102Ж2 — —
КТ3102И2 — —
КТ3102К2 — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3102А2 — — пс
КТ3102Б2 — —
КТ3102В2 — —
КТ3102Г2 — —
КТ3102Д2 — —
КТ3102Е2 — —
КТ3102Ж2 — —
КТ3102И2 — —
КТ3102К2 — —

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт