Транзистор КТ315

Цоколевка транзистора КТ315
Цоколевка транзистора КТ315

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой  частоты. Выпускаются в пластмассовом  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.18 г.

 

Параметры транзистора КТ315
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ315А BFP719, 2N2476 *3, 2N5225 *3, 2N3291 *3, 2N3292 *3, 2SC3881S *3, KST1009F1 *3, 40218 *3, 2N3294 *3, KM9011 *3, K917 *3, CD9011 *3, 2N3131 *3
КТ315Б BFP20, 2N2712, ВС170А *3, 2N3293 *3, BSY73 *3, SE1010 *3, 2N5219 *3, BSY95A *1, BSY27 *1, BSY95 *1, 2SC33 *3, BSX66 *3, 2N5223 *1, A5T5223 *3
КТ315В BFP721, 2N3512 *3, С63 *3, BSX24 *3, 2SC394 *3, PET8005 *1, 2SC460 *3, 2SC460A *3, 2SC461 *3, 2N3854A *3, MPS9624 *3
КТ315Г BFP722, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3
КТ315Д 2SC641, 2N3512 *3
КТ315Е 2N3397, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3
КТ315Ж 2N2711, 2N3293 *3, 2N3294 *3, 2SC398 *3, 2SC399 *3, 2N706C *3, 2N3825 *3, 2N706B/46 *3, 2N706J
КТ315И 2SC634, HSE166 *3, SS9011 *3, JE9011D *3, 2SC381 *3
КТ315Н BFP722
КТ315Р 2SC633, 2SC380A-О *1, 2SC380A-R *3, 2SC380A *3, 2SC2076 *3, HSE133 *3, BF234 *3, BF235 *3, CX917 *3, KTC9016 *3, 2SC839 *3, 2SC838 *3, BF594 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ315А 150(250*) мВт
КТ315Б 150(250*)
КТ315В 150(250*)
КТ315Г 150(250*)
КТ315Д 150(250*)
КТ315Е 150(250*)
КТ315Ж 100
КТ315И 100
КТ315Н 150
КТ315Р 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ315А ≥250 МГц
КТ315Б ≥250
КТ315В ≥250
КТ315Г ≥250
КТ315Д ≥250
КТ315Е ≥250
КТ315Ж ≥250
КТ315И ≥250
КТ315Н ≥250
КТ315Р ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ315А 25 В
КТ315Б 20
КТ315В 40
КТ315Г 35
КТ315Д 10к 40*
КТ315Е 10к 35*
КТ315Ж 10к 20*
КТ315И 10к 60*
КТ315Н 10к 35*
КТ315Р 10к 35*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ315А 6 В
КТ315Б 6
КТ315В 6
КТ315Г 6
КТ315Д 6
КТ315Е 6
КТ315Ж 6
КТ315И 6
КТ315Н 6
КТ315Р 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ315А 100 мА
КТ315Б 100
КТ315В 100
КТ315Г 100
КТ315Д 100
КТ315Е 100
КТ315Ж 50
КТ315И 50
КТ315Н 100
КТ315Р 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ315А 10 В ≤0.5 мкА
КТ315Б 10 В ≤0.5
КТ315В 10 В ≤0.5
КТ315Г 10 В ≤0.5
КТ315Д 10 В ≤0.6
КТ315Е 10 В ≤0.6
КТ315Ж 10 В ≤0.6
КТ315И 10 В ≤0.6
КТ315Н 10 В ≤0.6
КТ315Р 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ315А 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Б 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315В 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Г 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Д 10 В; 1 мА 20…90*
КТ315Е 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Ж 10 В; 1 мА 30…250*
КТ315И 10 В; 1 мА ≥30*
КТ315Н 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Р 10 В; 1 мА 150…350*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ315А 10 В ≤7 пФ
КТ315Б 10 В ≤7
КТ315В 10 В ≤7
КТ315Г 10 В ≤7
КТ315Д 10 В ≤7
КТ315Е 10 В ≤7
КТ315Ж 10 В ≤10
КТ315И 10 В ≤10
КТ315Н 10 В ≤7
КТ315Р 10 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ315А ≤20 Ом, дБ
КТ315Б ≤20
КТ315В ≤20
КТ315Г ≤20
КТ315Д ≤30
КТ315Е ≤30
КТ315Ж ≤25
КТ315И ≤45
КТ315Н ≤5.5
КТ315Р ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ315А ≤40* Дб, Ом, Вт
КТ315Б ≤40*
КТ315В ≤40*
КТ315Г ≤40*
КТ315Д ≤40*
КТ315Е ≤40*
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ315А ≤300 пс
КТ315Б ≤500
КТ315В ≤500
КТ315Г ≤500
КТ315Д ≤1000
КТ315Е ≤1000
КТ315Ж ≤800
КТ315И ≤950
КТ315Н ≤1000
КТ315Р ≤500

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

 

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектор
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы

 

Параметры транзистора КТ315-1
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ315А-1 150 мВт
КТ315Б-1 150
КТ315В-1 150
КТ315Г-1 150
КТ315Д-1 150
КТ315Е-1 150
КТ315Ж-1 100
КТ315И-1 100
КТ315Н-1 150
КТ315Р-1 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ315А-1 ≥250 МГц
КТ315Б-1 ≥250
КТ315В-1 ≥250
КТ315Г-1 ≥250
КТ315Д-1 ≥250
КТ315Е-1 ≥250
КТ315Ж-1 ≥250
КТ315И-1 ≥250
КТ315Н-1 ≥250
КТ315Р-1 ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ315А-1 25 В
КТ315Б-1 20
КТ315В-1 40
КТ315Г-1 35
КТ315Д-1 40
КТ315Е-1 35
КТ315Ж-1 15
КТ315И-1 60
КТ315Н-1 20
КТ315Р-1 35
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ315А-1 6 В
КТ315Б-1 6
КТ315В-1 6
КТ315Г-1 6
КТ315Д-1 6
КТ315Е-1 6
КТ315Ж-1 6
КТ315И-1 6
КТ315Н-1 6
КТ315Р-1 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ315А-1 100 мА
КТ315Б-1 100
КТ315В-1 100
КТ315Г-1 100
КТ315Д-1 100
КТ315Е-1 100
КТ315Ж-1 100
КТ315И-1 100
КТ315Н-1 100
КТ315Р-1 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ315А-1 10 В ≤0.5 мкА
КТ315Б-1 10 В ≤0.5
КТ315В-1 10 В ≤0.5
КТ315Г-1 10 В ≤0.5
КТ315Д-1 10 В ≤0.5
КТ315Е-1 10 В ≤0.5
КТ315Ж-1 10 В ≤0.5
КТ315И-1 10 В ≤0.5
КТ315Н-1 10 В ≤0.5
КТ315Р-1 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ315А-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Б-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315В-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Г-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315Д-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Е-1 10 В; 1 мА 20…90
КТ315Ж-1 10 В; 1 мА 30…250
КТ315И-1 10 В; 1 мА 30
КТ315Н-1 10 В; 1 мА 50…350
КТ315Р-1 10 В; 1 мА 150…350
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ315А-1 10 В ≤7 пФ
КТ315Б-1 10 В ≤7
КТ315В-1 10 В ≤7
КТ315Г-1 10 В ≤7
КТ315Д-1 10 В ≤7
КТ315Е-1 10 В ≤7
КТ315Ж-1 10 В ≤7
КТ315И-1 10 В ≤7
КТ315Н-1 10 В ≤7
КТ315Р-1 10 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ315А-1 ≤20 Ом, дБ
КТ315Б-1 ≤20
КТ315В-1 ≤20
КТ315Г-1 ≤20
КТ315Д-1 ≤20
КТ315Е-1 ≤20
КТ315Ж-1 ≤20
КТ315И-1 ≤20
КТ315Н-1
КТ315Р-1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ315А-1 ≤40* Дб, Ом, Вт
КТ315Б-1 ≤40*
КТ315В-1 ≤40*
КТ315Г-1 ≤40*
КТ315Д-1 ≤40*
КТ315Е-1 ≤40*
КТ315Ж-1 ≤40*
КТ315И-1 ≤40*
КТ315Н-1
КТ315Р-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ315А-1 ≤300 пс
КТ315Б-1 ≤300
КТ315В-1 ≤300
КТ315Г-1 ≤300
КТ315Д-1 ≤300
КТ315Е-1 ≤300
КТ315Ж-1 ≤300
КТ315И-1 ≤300
КТ315Н-1
КТ315Р-1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

17 − 8 =