Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.18 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ315А | BFP719, 2N2476 *3, 2N5225 *3, 2N3291 *3, 2N3292 *3, 2SC3881S *3, KST1009F1 *3, 40218 *3, 2N3294 *3, KM9011 *3, K917 *3, CD9011 *3, 2N3131 *3 | |||
КТ315Б | BFP20, 2N2712, ВС170А *3, 2N3293 *3, BSY73 *3, SE1010 *3, 2N5219 *3, BSY95A *1, BSY27 *1, BSY95 *1, 2SC33 *3, BSX66 *3, 2N5223 *1, A5T5223 *3 | ||||
КТ315В | BFP721, 2N3512 *3, С63 *3, BSX24 *3, 2SC394 *3, PET8005 *1, 2SC460 *3, 2SC460A *3, 2SC461 *3, 2N3854A *3, MPS9624 *3 | ||||
КТ315Г | BFP722, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3 | ||||
КТ315Д | 2SC641, 2N3512 *3 | ||||
КТ315Е | 2N3397, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3 | ||||
КТ315Ж | 2N2711, 2N3293 *3, 2N3294 *3, 2SC398 *3, 2SC399 *3, 2N706C *3, 2N3825 *3, 2N706B/46 *3, 2N706J | ||||
КТ315И | 2SC634, HSE166 *3, SS9011 *3, JE9011D *3, 2SC381 *3 | ||||
КТ315Н | BFP722 | ||||
КТ315Р | 2SC633, 2SC380A-О *1, 2SC380A-R *3, 2SC380A *3, 2SC2076 *3, HSE133 *3, BF234 *3, BF235 *3, CX917 *3, KTC9016 *3, 2SC839 *3, 2SC838 *3, BF594 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ315А | — | 150(250*) | мВт |
КТ315Б | — | 150(250*) | |||
КТ315В | — | 150(250*) | |||
КТ315Г | — | 150(250*) | |||
КТ315Д | — | 150(250*) | |||
КТ315Е | — | 150(250*) | |||
КТ315Ж | — | 100 | |||
КТ315И | — | 100 | |||
КТ315Н | — | 150 | |||
КТ315Р | — | 150 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ315А | — | ≥250 | МГц |
КТ315Б | — | ≥250 | |||
КТ315В | — | ≥250 | |||
КТ315Г | — | ≥250 | |||
КТ315Д | — | ≥250 | |||
КТ315Е | — | ≥250 | |||
КТ315Ж | — | ≥250 | |||
КТ315И | — | ≥250 | |||
КТ315Н | — | ≥250 | |||
КТ315Р | — | ≥250 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ315А | — | 25 | В |
КТ315Б | — | 20 | |||
КТ315В | — | 40 | |||
КТ315Г | — | 35 | |||
КТ315Д | 10к | 40* | |||
КТ315Е | 10к | 35* | |||
КТ315Ж | 10к | 20* | |||
КТ315И | 10к | 60* | |||
КТ315Н | 10к | 35* | |||
КТ315Р | 10к | 35* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ315А | — | 6 | В |
КТ315Б | — | 6 | |||
КТ315В | — | 6 | |||
КТ315Г | — | 6 | |||
КТ315Д | — | 6 | |||
КТ315Е | — | 6 | |||
КТ315Ж | — | 6 | |||
КТ315И | — | 6 | |||
КТ315Н | — | 6 | |||
КТ315Р | — | 6 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ315А | — | 100 | мА |
КТ315Б | — | 100 | |||
КТ315В | — | 100 | |||
КТ315Г | — | 100 | |||
КТ315Д | — | 100 | |||
КТ315Е | — | 100 | |||
КТ315Ж | — | 50 | |||
КТ315И | — | 50 | |||
КТ315Н | — | 100 | |||
КТ315Р | — | 100 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ315А | 10 В | ≤0.5 | мкА |
КТ315Б | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315В | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Г | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Д | 10 В | ≤0.6 | |||
КТ315Е | 10 В | ≤0.6 | |||
КТ315Ж | 10 В | ≤0.6 | |||
КТ315И | 10 В | ≤0.6 | |||
КТ315Н | 10 В | ≤0.6 | |||
КТ315Р | 10 В | ≤0.5 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ315А | 10 В; 1 мА | 30…120* | |
КТ315Б | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
КТ315В | 10 В; 1 мА | 30…120* | |||
КТ315Г | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
КТ315Д | 10 В; 1 мА | 20…90* | |||
КТ315Е | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
КТ315Ж | 10 В; 1 мА | 30…250* | |||
КТ315И | 10 В; 1 мА | ≥30* | |||
КТ315Н | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
КТ315Р | 10 В; 1 мА | 150…350* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ315А | 10 В | ≤7 | пФ |
КТ315Б | 10 В | ≤7 | |||
КТ315В | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Г | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Д | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Е | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Ж | 10 В | ≤10 | |||
КТ315И | 10 В | ≤10 | |||
КТ315Н | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Р | 10 В | ≤7 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ315А | — | ≤20 | Ом, дБ |
КТ315Б | — | ≤20 | |||
КТ315В | — | ≤20 | |||
КТ315Г | — | ≤20 | |||
КТ315Д | — | ≤30 | |||
КТ315Е | — | ≤30 | |||
КТ315Ж | — | ≤25 | |||
КТ315И | — | ≤45 | |||
КТ315Н | — | ≤5.5 | |||
КТ315Р | — | ≤20 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ315А | — | ≤40* | Дб, Ом, Вт |
КТ315Б | — | ≤40* | |||
КТ315В | — | ≤40* | |||
КТ315Г | — | ≤40* | |||
КТ315Д | — | ≤40* | |||
КТ315Е | — | ≤40* | |||
КТ315Ж | — | — | |||
КТ315И | — | — | |||
КТ315Н | — | — | |||
КТ315Р | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ315А | — | ≤300 | пс |
КТ315Б | — | ≤500 | |||
КТ315В | — | ≤500 | |||
КТ315Г | — | ≤500 | |||
КТ315Д | — | ≤1000 | |||
КТ315Е | — | ≤1000 | |||
КТ315Ж | — | ≤800 | |||
КТ315И | — | ≤950 | |||
КТ315Н | — | ≤1000 | |||
КТ315Р | — | ≤500 |
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ315А-1 | — | 150 | мВт |
КТ315Б-1 | — | 150 | |||
КТ315В-1 | — | 150 | |||
КТ315Г-1 | — | 150 | |||
КТ315Д-1 | — | 150 | |||
КТ315Е-1 | — | 150 | |||
КТ315Ж-1 | — | 100 | |||
КТ315И-1 | — | 100 | |||
КТ315Н-1 | — | 150 | |||
КТ315Р-1 | — | 150 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ315А-1 | — | ≥250 | МГц |
КТ315Б-1 | — | ≥250 | |||
КТ315В-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Г-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Д-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Е-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Ж-1 | — | ≥250 | |||
КТ315И-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Н-1 | — | ≥250 | |||
КТ315Р-1 | — | ≥250 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ315А-1 | — | 25 | В |
КТ315Б-1 | — | 20 | |||
КТ315В-1 | — | 40 | |||
КТ315Г-1 | — | 35 | |||
КТ315Д-1 | — | 40 | |||
КТ315Е-1 | — | 35 | |||
КТ315Ж-1 | — | 15 | |||
КТ315И-1 | — | 60 | |||
КТ315Н-1 | — | 20 | |||
КТ315Р-1 | — | 35 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ315А-1 | — | 6 | В |
КТ315Б-1 | — | 6 | |||
КТ315В-1 | — | 6 | |||
КТ315Г-1 | — | 6 | |||
КТ315Д-1 | — | 6 | |||
КТ315Е-1 | — | 6 | |||
КТ315Ж-1 | — | 6 | |||
КТ315И-1 | — | 6 | |||
КТ315Н-1 | — | 6 | |||
КТ315Р-1 | — | 6 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ315А-1 | — | 100 | мА |
КТ315Б-1 | — | 100 | |||
КТ315В-1 | — | 100 | |||
КТ315Г-1 | — | 100 | |||
КТ315Д-1 | — | 100 | |||
КТ315Е-1 | — | 100 | |||
КТ315Ж-1 | — | 100 | |||
КТ315И-1 | — | 100 | |||
КТ315Н-1 | — | 100 | |||
КТ315Р-1 | — | 100 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ315А-1 | 10 В | ≤0.5 | мкА |
КТ315Б-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315В-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Г-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Д-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Е-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Ж-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315И-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Н-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
КТ315Р-1 | 10 В | ≤0.5 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ315А-1 | 10 В; 1 мА | 20…90 | |
КТ315Б-1 | 10 В; 1 мА | 50…350 | |||
КТ315В-1 | 10 В; 1 мА | 20…90 | |||
КТ315Г-1 | 10 В; 1 мА | 50…350 | |||
КТ315Д-1 | 10 В; 1 мА | 20…90 | |||
КТ315Е-1 | 10 В; 1 мА | 20…90 | |||
КТ315Ж-1 | 10 В; 1 мА | 30…250 | |||
КТ315И-1 | 10 В; 1 мА | 30 | |||
КТ315Н-1 | 10 В; 1 мА | 50…350 | |||
КТ315Р-1 | 10 В; 1 мА | 150…350 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ315А-1 | 10 В | ≤7 | пФ |
КТ315Б-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315В-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Г-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Д-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Е-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Ж-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315И-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Н-1 | 10 В | ≤7 | |||
КТ315Р-1 | 10 В | ≤7 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ315А-1 | — | ≤20 | Ом, дБ |
КТ315Б-1 | — | ≤20 | |||
КТ315В-1 | — | ≤20 | |||
КТ315Г-1 | — | ≤20 | |||
КТ315Д-1 | — | ≤20 | |||
КТ315Е-1 | — | ≤20 | |||
КТ315Ж-1 | — | ≤20 | |||
КТ315И-1 | — | ≤20 | |||
КТ315Н-1 | — | — | |||
КТ315Р-1 | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ315А-1 | — | ≤40* | Дб, Ом, Вт |
КТ315Б-1 | — | ≤40* | |||
КТ315В-1 | — | ≤40* | |||
КТ315Г-1 | — | ≤40* | |||
КТ315Д-1 | — | ≤40* | |||
КТ315Е-1 | — | ≤40* | |||
КТ315Ж-1 | — | ≤40* | |||
КТ315И-1 | — | ≤40* | |||
КТ315Н-1 | — | — | |||
КТ315Р-1 | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ315А-1 | — | ≤300 | пс |
КТ315Б-1 | — | ≤300 | |||
КТ315В-1 | — | ≤300 | |||
КТ315Г-1 | — | ≤300 | |||
КТ315Д-1 | — | ≤300 | |||
КТ315Е-1 | — | ≤300 | |||
КТ315Ж-1 | — | ≤300 | |||
КТ315И-1 | — | ≤300 | |||
КТ315Н-1 | — | — | |||
КТ315Р-1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.