Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Аналоги : BUJ101

 

Корпус TO-225AA

Вывод	Назначение
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры

Обозначение	Параметр	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	9	В
Ic	Ток коллектора постоянный	—	—	—	1.5	А
Ib	Ток базы	—	—	—	0.75	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	—	—	20	Вт
Iebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 9 В, Ic = 0 А	—	—	1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	Vce = 2 В, Ic = 0.5 А	8	—	40
		Vce = 2 В, Ic = 1 А	5	—	25
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А	—	—	0.5	В
		Ic = 1 А, Ib = 0.25 А	—	—	1	В
		Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А	—	—	3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А	—	—	1	В
		Ic = 1 А, Ib = 0.25 А	—	—	1.2	В