Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле
Особенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Аналоги : BUJ101
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 400 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 9 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 1.5 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 0.75 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 20 | Вт |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 9 В, Ic = 0 А | — | — | 1 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Vce = 2 В, Ic = 0.5 А | 8 | — | 40 | |
| Vce = 2 В, Ic = 1 А | 5 | — | 25 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 0.5 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1 | В | ||
| Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А | — | — | 3 | В | ||
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А | — | — | 1 | В |
| Ic = 1 А, Ib = 0.25 А | — | — | 1.2 | В |
