| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | МП16 | — | 200 | |
| МП16А | — | 200 | |||
| МП16Б | — | 200 | |||
| МП16Я1 | — | 150 | |||
| МП16Я11 | — | 150 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | МП16 | — | ≥1* | МГц |
| МП16А | — | ≥1* | |||
| МП16Б | — | ≥2* | |||
| МП16Я1 | — | — | |||
| МП16Я11 | — | — | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | МП16 | 0.2 к | 15 | В |
| МП16А | 0.2 к | 15 | |||
| МП16Б | 0.2 к | 15 | |||
| МП16Я1 | 0.2 к | 15*(100) | |||
| МП16Я11 | 0.2 к | 15*(100) | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | МП16 | — | 15 | В |
| МП16А | — | 15 | |||
| МП16Б | — | 15 | |||
| МП16Я1 | — | 15 | |||
| МП16Я11 | — | 15 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | МП16 | — | 50(300*) | мА |
| МП16А | — | 50(300*) | |||
| МП16Б | — | 50(300*) | |||
| МП16Я1 | — | 300* | |||
| МП16Я11 | — | 300* | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | МП16 | 15 В | ≤25 | мкА |
| МП16А | 15 В | ≤25 | |||
| МП16Б | 15 В | ≤25 | |||
| МП16Я1 | 15 В | ≤50* | |||
| МП16Я11 | 15 В | ≤50* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | МП16 | 1 В; 10 мА | 20…35 | |
| МП16А | 1 В; 10 мА | 30…50 | |||
| МП16Б | 1 В; 1 мА | 45…100 | |||
| МП16Я1 | 10 В; 100 мА | 20…70 | |||
| МП16Я11 | 10 В; 100 мА | 10…70 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | МП16 | — | — | пФ |
| МП16А | — | — | |||
| МП16Б | — | — | |||
| МП16Я1 | — | — | |||
| МП16Я11 | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | МП16 | — | ≤15 | Ом |
| МП16А | — | ≤15 | |||
| МП16Б | — | ≤15 | |||
| МП16Я1 | — | ≤6.6 | |||
| МП16Я11 | — | ≤6.6 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | МП16 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| МП16А | — | — | |||
| МП16Б | — | — | |||
| МП16Я1 | — | — | |||
| МП16Я11 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | МП16 | — | ≤2000 | пс |
| МП16А | — | ≤1500 | |||
| МП16Б | — | ≤1000 | |||
| МП16Я1 | — | — | |||
| МП16Я11 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.