Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | МП25 | 2N189 | |||
МП25А | АС116 | ||||
МП25Б | 2N43 | ||||
Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | МП25 | — | 200 | |
МП25А | — | 200 | |||
МП25Б | — | 200 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | МП25 | — | ≥0.2* | МГц |
МП25А | — | ≥0.2* | |||
МП25Б | — | ≥0.5* | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | МП25 | — | 40 | В |
МП25А | — | 40 | |||
МП25Б | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | МП25 | — | 40 | В |
МП25А | — | 40 | |||
МП25Б | — | 40 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | МП25 | — | 300* | мА |
МП25А | — | 400* | |||
МП25Б | — | 400* | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | МП25 | 40 В | ≤75 | мкА |
МП25А | 40 В | ≤75 | |||
МП25Б | 40 В | ≤75 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | МП25 | 20 В; 2.5 мА | 13…25 | |
МП25А | 20 В; 2.5 мА | 20…50 | |||
МП25Б | 20 В; 2.5 мА | 30…80 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | МП25 | 20 В | ≤20 | пФ |
МП25А | 20 В | ≤20 | |||
МП25Б | 20 В | ≤20 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | МП25 | — | ≤2.2 | Ом |
МП25А | — | ≤2 | |||
МП25Б | — | ≤1.8 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | МП25 | — | — | Дб, Ом, Вт |
МП25А | — | — | |||
МП25Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | МП25 | — | ≤1500*** | пс |
МП25А | — | ≤1500*** | |||
МП25Б | — | ≤1500*** |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.