| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | МП35 | 2N444 | |||
| Структура | — | — | n-p-n | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | МП35 | — | 150 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | МП35 | — | ≥0.5* | МГц |
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | МП35 | — | 15 | В |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | МП35 | — | — | В |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | МП35 | — | 20(150*) | мА |
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | МП35 | 5 В | ≤30 | мкА |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | МП35 | 5 В; 1 мА | 13…125 | |
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | МП35 | 35 В | — | пФ |
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | МП35 | — | — | Ом |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | МП35 | — | ≤220* | Дб, Ом, Вт |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | МП35 | — | — | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.