| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П215 | AD469, AD439 | |||
| П216 | AD138, AD302 | ||||
| П216А | AD130 | ||||
| П216Б | 2N178 | ||||
| П216В | AD145 | ||||
| П216Г | AD313 | ||||
| П216Д | AD312 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П215 | — | 10* | |
| П216 | — | 30* | |||
| П216А | — | 30* | |||
| П216Б | — | 24* | |||
| П216В | — | 24* | |||
| П216Г | — | 24* | |||
| П216Д | — | 24* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | П215 | — | ≥0.2* | МГц |
| П216 | — | ≥0.2* | |||
| П216А | — | ≥0.2* | |||
| П216Б | — | ≥0.2* | |||
| П216В | — | ≥0.2* | |||
| П216Г | — | ≥0.2* | |||
| П216Д | — | ≥0.2* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П215 | — | 80 | В |
| П216 | — | 40 | |||
| П216А | — | 40 | |||
| П216Б | — | 35 | |||
| П216В | — | 35 | |||
| П216Г | — | 50 | |||
| П216Д | — | 50 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П215 | — | 15 | В |
| П216 | — | 15 | |||
| П216А | — | 15 | |||
| П216Б | — | 15 | |||
| П216В | — | 15 | |||
| П216Г | — | 15 | |||
| П216Д | — | 15 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П215 | — | 5 | А |
| П216 | — | 7.5 | |||
| П216А | — | 7.5 | |||
| П216Б | — | 7.5 | |||
| П216В | — | 7.5 | |||
| П216Г | — | 7.5 | |||
| П216Д | — | 7.5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П215 | — | ≤0.3 | мА |
| П216 | ≤0.5 | ||||
| П216А | — | ≤0.5 | |||
| П216Б | — | ≤1.5 | |||
| П216В | ≤2 | ||||
| П216Г | ≤2.5 | ||||
| П216Д | ≤2 | ||||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П215 | 5 В; 0.2 А | 20…150* | |
| П216 | 0.75 В; 4 А | ≥16 | |||
| П216А | 0.75 В; 4 А | 20…80 | |||
| П216Б | 3 В; 2 А | ≥10 | |||
| П216В | 3 В; 2 А | ≥30 | |||
| П216Г | 3 В; 2 А | ≥5 | |||
| П216Д | 3 В; 2 А | 15…30 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П215 | — | — | пФ |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б | — | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П215 | — | ≤0.3 | Ом |
| П216 | — | ≤0.2 | |||
| П216А | — | ≤0.2 | |||
| П216Б | — | ≤0.25 | |||
| П216В | — | ≤0.25 | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | ≤0.25 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П215 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б | — | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П215 | — | — | пс |
| П216 | — | — | |||
| П216А | — | — | |||
| П216Б | — | — | |||
| П216В | — | — | |||
| П216Г | — | — | |||
| П216Д | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.