| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П217 | AD310, AD163 | |||
| П217А | ASZ16 | ||||
| П217Б | AUY19 | ||||
| П217В | ASZ18, ASZ1017 | ||||
| П217Г | ASZ17 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П217 | — | 30* | |
| П217А | — | 30* | |||
| П217Б | — | 30* | |||
| П217В | — | 24 | |||
| П217Г | — | 24 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | П217 | — | ≥0.2* | МГц |
| П217А | — | ≥0.2* | |||
| П217Б | — | ≥0.2* | |||
| П217В | — | ≥0.2* | |||
| П217Г | — | ≥0.2* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П217 | — | 60 | В |
| П217А | — | 60 | |||
| П217Б | — | 60 | |||
| П217В | — | 60 | |||
| П217Г | — | 60 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П217 | — | 15 | В |
| П217А | — | 15 | |||
| П217Б | — | 15 | |||
| П217В | — | 15 | |||
| П217Г | — | 15 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П217 | — | 7.5 | А |
| П217А | — | 7.5 | |||
| П217Б | — | 7.5 | |||
| П217В | — | 7.5 | |||
| П217Г | — | 7.5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П217 | — | ≤0.5 | мА |
| П217А | 45 В | ≤0.5 | |||
| П217Б | — | ≤0.5 | |||
| П217В | — | ≤3 | |||
| П217Г | 65 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П217 | 0.75 В; 4 А | ≥16 | |
| П217А | 5 В; 1 А | ≥20…60 | |||
| П217Б | 5 В; 1 А | ≥20 | |||
| П217В | 1 В; 4 А | ≥15* | |||
| П217Г | 3 В; 2 А | ≥15…40 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П217 | — | — | пФ |
| П217А | — | — | |||
| П217Б | — | — | |||
| П217В | — | — | |||
| П217Г | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П217 | — | ≤0.5 | Ом |
| П217А | — | ≤0.5 | |||
| П217Б | — | ≤0.5 | |||
| П217В | — | ≤0.25 | |||
| П217Г | — | ≤0.5 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П217 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П217А | — | — | |||
| П217Б | — | — | |||
| П217В | — | — | |||
| П217Г | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П217 | — | — | пс |
| П217А | — | — | |||
| П217Б | — | — | |||
| П217В | — | — | |||
| П217Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.