| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П416 | 2N602 | |||
| П416А | 2N604 | ||||
| П416Б | 2SA279 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П416 | — | 100(360*) | |
| П416А | — | 100(360*) | |||
| П416Б | — | 100(360*) | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | П416 | — | ≥40 | МГц |
| П416А | — | ≥60 | |||
| П416Б | — | ≥80 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П416 | — | 12 | В |
| П416А | — | 12 | |||
| П416Б | — | 12 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П416 | — | 3 | В |
| П416А | — | 3 | |||
| П416Б | — | 3 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П416 | — | 25(120*) | мА |
| П416А | — | 25(120*) | |||
| П416Б | 25(120*) | ||||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П416 | 10 В | ≤3 | мкА |
| П416А | 10 В | ≤3 | |||
| П416Б | 10 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П416 | 5 В; 5 мА | 20…80 | |
| П416А | 5 В; 5 мА | 60…120 | |||
| П416Б | 5 В; 5 мА | 90…250 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П416 | 5 В | ≤8 | пФ |
| П416А | 5 В | ≤8 | |||
| П416Б | 5 В | ≤8 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П416 | — | ≤40 | Ом |
| П416А | — | ≤40 | |||
| П416Б | ≤40 | ||||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П416 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П416А | — | — | |||
| П416Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П416 | — | ≤500; ≤1000* | пс |
| П416А | — | ≤500; ≤1000* | |||
| П416Б | ≤500; ≤1000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.